DE3S062D

更新时间： 2023-12-18 00:00:00

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松下 - PANASONIC		二极管齐纳二极管测试光电二极管
页数	文件大小	规格书
4页	458K
描述
Silicon epitaxial planar type

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DE3S062D 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.75	配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.15 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	6.2 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	YES
技术：	ZENER	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
最大电压容差：	5%	工作测试电流：	1 mA
Base Number Matches：	1

DE3S062D 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

DE3S062D

Silicon epitaxial planar type

For surge absorption circuits

 Features

 Package

ꢀCode

 High electrostatic discharge ESD

 Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count.

 Eco-friendly Halogen-free package

SSMini3-F3-B

ꢀPin Name

1: Cathode-1

2: Cathode-2

3: Anode-1, 2

 Packaging

Embossed type (Thermo-compression sealing): 3000 pcs / reel (standard)

 Marking Symbol: 41

 Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Total power dissipation^*1

Electrostatic discharge^*2

Junction temperature

Symbol

P_T

Rating

150

Unit

ꢀInternal Connection

ESD

T_j

±30

150

°C

Storage temperature

stg

–55 to +150

°C

Note) 1: P = 150 mW achieved with a printed circuit board.

2: Test method: IEC61000-4-2 (C = 150 pF, R = 330 W, Contact discharge: 10 times)

 Common Electrical Characteristics T_a= 25°C±3°C

Parameter

Symbol

Conditions

Min

Typ

Max

6.51

Unit

1, 2

Zener voltage ^*

V_Z

I_R

I_Z= 1 mA

V_R= 4 V

5.89

Reverse current

µA

Terminal capacitance

C_t

V_R= 0 V, f = 1 MHz

I_Z= 1 mA

Temperature coefﬁcient of zener voltage ^*

S_Z

2.3

mV/°C

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.

2. 1: The temperature must be controlled 25°C for V measurement. V value measured at other temperature must be adjusted to V (25°C)

2: V guaranteed 20 ms after current ﬂow.

3: T = 25°C to 150°C

Publication date: November 2010

Ver. AED

12 3 4

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与DE3S062D相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DE3S062D0L	PANASONIC	获取价格	Zener Diode, 6.2V V(Z), 5%, 0.15W, Silicon, Unidirectional, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIAN
DE3S4M	SHINDENGEN	获取价格	Schottky Rectifiers (SBD) (40V 3A)
DE3S4M_10	SHINDENGEN	获取价格	Schottky Barrier Diode
DE3S6M	SHINDENGEN	获取价格	Schottky Rectifiers (SBD) (60V 3A)
DE3S6M_10	SHINDENGEN	获取价格	Schottky Barrier Diode
DE420A	ETC	获取价格	Converter IC
DE431A	ETC	获取价格	Converter IC
DE44994	ITT	获取价格	Defining and Champooning Innivation
DE44994-14	ITT	获取价格	D Subminiature Accessories
DE44994-2	ITT	获取价格	D Subminiature Connectors

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