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DE475-102N20A

更新时间： 2024-01-27 20:19:45

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	146K
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RF Power MOSFET

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DE475-102N20A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.75
Is Samacsys：	N	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

DE475-102N20A 数据手册

DE475-102N20A

RFꢀPowerꢀMOSFETꢀ

NꢂChannelꢀEnhancementꢀModeꢀ

LowꢀQ_gꢀandꢀR_gꢀ

Highꢀdv/dtꢀ

V_DSS

ꢀ

=ꢀ 1000ꢀVꢀ

I_D25ꢀ

=ꢀ

20ꢀAꢀ

NanosecondꢀSwitchingꢀ

R_DS(on)ꢀ≤ꢀ

0.6ꢀꢀꢀ

Symbolꢀ

V_DSS

V_DGR

V_GS

V_GSM

I_D25

I_DM

I_AR

TestꢀConditionsꢀ

T_Jꢀ=ꢀ25°Cꢀtoꢀ150°Cꢀꢀ

T_Jꢀ=ꢀ25°Cꢀtoꢀ150°C;ꢀR_GSꢀ=ꢀ1ꢀMꢀꢀꢀ

Continuousꢀ

MaximumꢀRatingsꢀꢀ

P_DCꢀ

=ꢀ 1800Wꢀ

ꢀ

1000ꢀ

±20ꢀ

Vꢀ

ꢀ

Vꢀ

Transientꢀ

ꢀ

±30ꢀ

T_cꢀ=ꢀ25°Cꢀꢀ

ꢀ

20ꢀ

120ꢀ

20ꢀ

Aꢀ

T_cꢀ=ꢀ25°C,ꢀpulseꢀwidthꢀlimitedꢀbyꢀT_JMꢀꢀ

T_cꢀ=ꢀ25°Cꢀꢀ

ꢀ

Aꢀ

T_cꢀ=ꢀ25°Cꢀꢀ

E_AR

ꢀ

30ꢀ

mJꢀ

I_Sꢀ≤ꢁI_DM,ꢀdi/dtꢀ≤ꢁꢀ100A/ꢂs,ꢀV_DDꢀ≤ꢀV_DSS,ꢀꢀ

T_jꢀ≤ꢀ150°C,ꢀR_Gꢀ=ꢀ0.2ꢀꢀꢀ

ꢀ

5ꢀ V/nsꢀ

dv/dtꢀꢀ

I_Sꢀ=ꢀ0ꢀ

>200ꢀ V/nsꢀ

DRAIN

ꢀ

P_DC

ꢀ

1800ꢀ

730ꢀ

Wꢀ

GATE

T_cꢀ=ꢀ25°Cꢀ

Derateꢀ4.4W/°Cꢀaboveꢀ25°Cꢀ

P_DHS

ꢀ

T_cꢀ=ꢀ25°Cꢀꢀ

P_DAMB

R_thJC

_thJHSꢀ

ꢀ

4.5ꢀ

Wꢀ

ꢀ

0.08ꢀ C/Wꢀ

0.20ꢀ C/Wꢀ

SG1 SG2

SD1

SD2

Featuresꢀ

•ꢁ IsolatedꢀSubstrateꢀ

−ꢁ highꢀisolationꢀvoltageꢀ(>2500V)ꢀ

−ꢁ excellentꢀthermalꢀtransferꢀ

Symbolꢀ

TestꢀConditions

CharacteristicꢀValuesꢀ

T_Jꢀ=ꢀ25°Cꢀunlessꢀotherwiseꢀspecifiedꢀꢀ

ꢀ

min.ꢀ

1000ꢀ

typ.ꢀ

max.ꢀ ꢀ

−ꢁ Increasedꢀtemperatureꢀandꢀpowerꢀ

cyclingꢀcapabilityꢀꢀꢀ

V_GSꢀ=ꢀ0ꢀV,ꢀI_Dꢀ=ꢀ3ꢀmaꢀ

V_DSꢀ=ꢀV_GS,ꢀI_Dꢀ=ꢀ250ꢀꢁaꢀ

V_GSꢀ=ꢀ±20ꢀV_DC,ꢀV_DSꢀ=ꢀ0ꢀ

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

I_DSS

ꢀ

Vꢀ

•ꢁ IXYSꢀadvancedꢀlowꢀQ_gꢀprocessꢀ

•ꢁ Lowꢀgateꢀchargeꢀandꢀcapacitancesꢀ

−ꢁ easierꢀtoꢀdriveꢀ

ꢀ

3.0ꢀ

3.6ꢀ

5.0ꢀ Vꢀ

ꢀ

±100ꢀ nAꢀ

−ꢁ fasterꢀswitchingꢀ

V_DSꢀ=ꢀ0.8ꢀV_DSSꢀT_Jꢀ=ꢀ25°Cꢀꢀ

V_GSꢀ=ꢀ0ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀT_Jꢀ=ꢀ125°Cꢀꢀ

ꢀ

50ꢀ

1ꢀ

ꢂAꢀ

mAꢀ

•ꢁ LowꢀR_DS(on)

ꢀ

•ꢁ Veryꢀlowꢀinsertionꢀinductanceꢀ(<2nH)ꢀ

•ꢁ Noꢀberylliumꢀoxideꢀ(BeO)ꢀorꢀotherꢀ

V_GSꢀ=ꢀ15ꢀV,ꢀI_Dꢀ=ꢀ0.5I_D25

Pulseꢀtest,ꢀtꢀ≤ꢀ300ꢂS,ꢀdutyꢀcycleꢀdꢀ≤ꢀ2%ꢀꢀ

ꢀ

R_DS(on)

ꢀ

0.6ꢀ

ꢀꢀ

hazardousꢀmaterialsꢀꢀ

ꢀ

Advantagesꢀ

V_DSꢀ=ꢀ15ꢀV,ꢀI_Dꢀ=ꢀ0.5I_D25,ꢀpulseꢀtestꢀ

g_fsꢀ

T_Jꢀꢀ

6ꢀ

9ꢀ

ꢀ

Sꢀ

•ꢁ OptimizedꢀforꢀRFꢀandꢀhighꢀspeedꢀ

ꢀ

ꢂ55ꢀ

+150ꢀ °Cꢀꢀꢀ

ꢀ °Cꢀꢀꢀꢀ

switchingꢀatꢀfrequenciesꢀtoꢀ30MHzꢀ

•ꢁ Easyꢀtoꢀmount—noꢀinsulatorsꢀneededꢀ

ꢀ

T_JMꢀ

T_stgꢀ

T_Lꢀꢀ

ꢀ

150ꢀ

ꢀ

•ꢁ Highꢀpowerꢀdensityꢀ

ꢀ

ꢂ55ꢀ

+150ꢀ °Cꢀꢀꢀꢀ

ꢀ °Cꢀꢀꢀꢀꢀ

1.6mmꢀ(0.063ꢀin)ꢀfromꢀcaseꢀforꢀ10ꢀsꢀ

ꢀ

300ꢀ

3ꢀ

Weightꢀ

ꢀ

gꢀ

12 3 4 5

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