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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> DE475-501N44A
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DE475-501N44A

更新时间： 2024-11-10 21:54:51
品牌 Logo 应用领域
IXYS /
页数 文件大小 规格书
3页 85K
描述
RF Power MOSFET

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DE475-501N44A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：,
针数：6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.74
Is Samacsys：N最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BAND
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

DE475-501N44A 数据手册

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Directed Energy, Inc.  
DE475-501N44A  
An IXYS Company  
RF Power MOSFET  
Preliminary Data Sheet  
♦
♦
♦
♦
♦
N-Channel Enhancement Mode  
Low Qg and Rg  
VDSS  
ID25  
=
=
=
=
500 V  
44 A  
High dv/dt  
Nanosecond Switching  
30MHz Maximum Frequency  
RDS(on)  
PDHS  
0.14 Ω  
600W  
Symbol  
Test Conditions  
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MΩ  
Continuous  
Maximum Ratings  
500  
500  
±20  
±30  
44  
V
V
VDSS  
VDGR  
VGS  
VGSM  
ID25  
V
Transient  
V
Tc = 25°C  
A
Tc = 25°C, pulse width limited by TJM  
Tc = 25°C  
264  
44  
A
IDM  
A
IAR  
Tc = 25°C  
30  
mJ  
V/ns  
EAR  
I
S ≤ IDM, di/dt ≤ 100A/µs, VDD ≤ VDSS,  
5
Tj ≤ 150°C, RG = 0.2Ω  
dv/dt  
PDHS  
DRAIN  
IS = 0  
>200 V/ns  
GATE  
Tc = 25°C  
600  
W
Derate 4.4W/°C above 25°C  
Tc = 25°C  
4.5  
-55…+150  
150  
W
°C  
°C  
°C  
°C  
g
PDAMB  
TJ  
SG1 SG2  
SD1  
SD2  
TJM  
Features  
-55…+150  
300  
Tstg  
•
Isolated Substrate  
1.6mm (0.063 in) from case for 10 s  
TL  
−
−
−
high isolation voltage (>2500V)  
excellent thermal transfer  
Increased temperature and power  
cycling capability  
3
Weight  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
•
•
−
−
•
IXYS advanced low Qg process  
Low gate charge and capacitances  
easier to drive  
faster switching  
Low RDS(on)  
Very low insertion inductance (<2nH)  
No beryllium oxide (BeO) or other haz-  
ardous materials  
TJ = 25°C unless otherwise specified  
min.  
500  
2.5  
typ.  
max.  
VGS = 0 V, ID = 3 ma  
VDS = VGS, ID = 4 ma  
VGS = ±20 VDC, VDS = 0  
VDS = 0.8 VDSS TJ = 25°C  
V
V
VDSS  
VGS(th)  
IGSS  
•
•
5.5  
±100 nA  
50  
IDSS  
µA  
Advantages  
VGS = 0  
TJ = 125°C  
1
mA  
•
Optimized for RF and high speed  
switching at frequencies to 30MHz  
Easy to mount—no insulators needed  
VGS = 15 V, ID = 0.5ID25  
Pulse test, t ≤ 300µS, duty cycle d ≤ 2%  
0.14  
RDS(on)  
gfs  
Ω
•
•
High power density  
VDS = 15 V, ID = 0.5ID25, pulse test  
32  
S
123

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