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DE475-501N44A

更新时间： 2024-02-15 03:03:22

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IXYS		/
页数	文件大小	规格书
3页	85K
描述
RF Power MOSFET

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DE475-501N44A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.74
Is Samacsys：	N	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

DE475-501N44A 数据手册

Directed Energy, Inc.

DE475-501N44A

An IXYS Company

RF Power MOSFET

Preliminary Data Sheet

♦

N-Channel Enhancement Mode

Low Q_gand R_g

V_DSS

I_D25

500 V

44 A

High dv/dt

Nanosecond Switching

30MHz Maximum Frequency

R_DS(on)

P_DHS

0.14 Ω

600W

Symbol

Test Conditions

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

Continuous

Maximum Ratings

500

±20

±30

V_DSS

V_DGR

V_GS

V_GSM

I_D25

Transient

T_c= 25°C

T_c= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_c= 25°C

264

I_DM

I_AR

T_c= 25°C

V/ns

E_AR

_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100A/µs, V_DD≤ V_DSS,

T_j≤ 150°C, R_G= 0.2Ω

dv/dt

P_DHS

DRAIN

I_S= 0

>200 V/ns

GATE

T_c= 25°C

600

Derate 4.4W/°C above 25°C

T_c= 25°C

4.5

-55…+150

150

°C

P_DAMB

T_J

SG1 SG2

SD1

SD2

T_JM

Features

-55…+150

300

T_stg

•

Isolated Substrate

1.6mm (0.063 in) from case for 10 s

T_L

−

high isolation voltage (>2500V)

excellent thermal transfer

Increased temperature and power

cycling capability

Weight

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

•

−

•

IXYS advanced low Q_gprocess

Low gate charge and capacitances

easier to drive

faster switching

Low R_DS(on)

Very low insertion inductance (<2nH)

No beryllium oxide (BeO) or other haz-

ardous materials

T_J= 25°C unless otherwise specified

min.

500

2.5

typ.

max.

V_GS= 0 V, I_D= 3 ma

V_DS= V_GS, I_D= 4 ma

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

V_DS= 0.8 V_DSST_J= 25°C

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

•

5.5

±100 nA

I_DSS

µA

Advantages

V_GS= 0

T_J= 125°C

•

Optimized for RF and high speed

switching at frequencies to 30MHz

Easy to mount—no insulators needed

V_GS= 15 V, I_D= 0.5I_D25

Pulse test, t ≤ 300µS, duty cycle d ≤ 2%

0.14

R_DS(on)

g_fs

Ω

•

High power density

V_DS= 15 V, I_D= 0.5I_D25, pulse test

12 3

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