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DE475-501N44A_09

更新时间： 2024-11-11 10:02:07

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RF Power MOSFET

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DE475-501N44A_09 数据手册

DE475-501N44A

RFꢀPowerꢀMOSFETꢀ

♦ꢁ NꢁChannelꢀEnhancementꢀModeꢀ

♦ꢁ LowꢀQ_gꢀandꢀR_gꢀ

♦ꢁ Highꢀdv/dtꢀ

V_DSS

ꢀ

=ꢀ 500ꢀVꢀ

♦ꢁ NanosecondꢀSwitchingꢀ

♦ꢁ 30MHzꢀMaximumꢀFrequencyꢀ

I_D25ꢀ

=ꢀ

48ꢀAꢀ

R_DS(on)ꢀ≤ꢀ

0.13ꢀꢀꢀ

Symbolꢀ

V_DSS

V_DGR

V_GS

V_GSM

I_D25

I_DM

I_AR

TestꢀConditionsꢀ

T_Jꢀ=ꢀ25°Cꢀtoꢀ150°Cꢀꢀ

T_Jꢀ=ꢀ25°Cꢀtoꢀ150°C;ꢀR_GSꢀ=ꢀ1ꢀMꢀꢀꢀ

Continuousꢀ

MaximumꢀRatingsꢀꢀ

P_DCꢀ

=ꢀ 1800Wꢀ

ꢀ

500ꢀ

±20ꢀ

±30ꢀ

48ꢀ

Vꢀ

ꢀ

Vꢀ

Aꢀ

Transientꢀ

ꢀ

T_cꢀ=ꢀ25°Cꢀꢀ

ꢀ

T_cꢀ=ꢀ25°C,ꢀpulseꢀwidthꢀlimitedꢀbyꢀT_JMꢀꢀ

T_cꢀ=ꢀ25°Cꢀꢀ

ꢀ

288ꢀ

44ꢀ

ꢀ

T_cꢀ=ꢀ25°Cꢀꢀ

E_AR

ꢀ

30ꢀ mJꢀ

5ꢀ V/nsꢀ

I_Sꢀ≤ꢁI_DM,ꢀdi/dtꢀ≤ꢁꢀ100A/ꢂs,ꢀV_DDꢀ≤ꢀV_DSS,ꢀꢀ

T_jꢀ≤ꢀ150°C,ꢀR_Gꢀ=ꢀ0.2ꢀꢀꢀ

ꢀ

dv/dtꢀꢀ

I_Sꢀ=ꢀ0ꢀ

ꢀ

>200ꢀ V/nsꢀ

DRAIN

P_DC

ꢀ

1800ꢀ

730ꢀ

Wꢀ

GATE

T_cꢀ=ꢀ25°Cꢀ

Derateꢀ4.0W/°Cꢀaboveꢀ25°Cꢀ

P_DHS

ꢀ

T_cꢀ=ꢀ25°Cꢀꢀ

P_DAMB

ꢀ

4.5ꢀ

Wꢀ

ꢀ

R_thJC

ꢀ

0.08ꢀ C/Wꢀ

0.20ꢀ C/Wꢀ

SG1 SG2

SD1

SD2

R_thJHS

ꢀ

Featuresꢀ

•ꢁ IsolatedꢀSubstrateꢀ

−ꢁ highꢀisolationꢀvoltageꢀ(>2500V)ꢀ

−ꢁ excellentꢀthermalꢀtransferꢀ

Symbolꢀ

TestꢀConditions

CharacteristicꢀValuesꢀ

T_Jꢀ=ꢀ25°Cꢀunlessꢀotherwiseꢀspecifiedꢀꢀ

ꢀ

min.ꢀ

500ꢀ

typ.ꢀ

max.ꢀ ꢀ

−ꢁ Increasedꢀtemperatureꢀandꢀpowerꢀ

V_GSꢀ=ꢀ0ꢀV,ꢀI_Dꢀ=ꢀ3ꢀmaꢀ

V_DSꢀ=ꢀV_GS,ꢀI_Dꢀ=ꢀ4ꢀmaꢀ

V_GSꢀ=ꢀ±20ꢀV_DC,ꢀV_DSꢀ=ꢀ0ꢀ

cyclingꢀcapabilityꢀꢀꢀ

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

I_DSS

ꢀ

Vꢀ

•ꢁ IXYSꢀadvancedꢀlowꢀQ_gꢀprocessꢀ

•ꢁ Lowꢀgateꢀchargeꢀandꢀcapacitancesꢀ

−ꢁ easierꢀtoꢀdriveꢀ

−ꢁ fasterꢀswitchingꢀ

•ꢁ LowꢀR_DS(on)

ꢀ

3.5ꢀ

4.5ꢀ

5.5ꢀ

ꢀ

±100ꢀ nAꢀ

V_DSꢀ=ꢀ0.8ꢀV_DSSꢀT_Jꢀ=ꢀ25°Cꢀꢀ

V_GSꢀ=ꢀ0ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀT_Jꢀ=ꢀ125°Cꢀꢀ

ꢀ

50ꢀ

1ꢀ

ꢂAꢀ

mAꢀ

ꢀ

•ꢁ Veryꢀlowꢀinsertionꢀinductanceꢀ(<2nH)ꢀ

•ꢁ Noꢀberylliumꢀoxideꢀ(BeO)ꢀorꢀotherꢀhazꢁ

V_GSꢀ=ꢀ15ꢀV,ꢀI_Dꢀ=ꢀ0.5I_D25

Pulseꢀtest,ꢀtꢀ≤ꢀ300ꢂS,ꢀdutyꢀcycleꢀdꢀ≤ꢀ2%ꢀꢀ

ꢀ

R_DS(on)

ꢀ

0.13ꢀ

ꢀꢀ

ardousꢀmaterialsꢀꢀ

ꢀ

Advantagesꢀ

V_DSꢀ=ꢀ15ꢀV,ꢀI_Dꢀ=ꢀ0.5I_D25,ꢀpulseꢀtestꢀ

g_fsꢀ

T_Jꢀ

ꢀ

14ꢀ

ꢀ

Sꢀ

•ꢁ OptimizedꢀforꢀRFꢀandꢀhighꢀspeedꢀ

ꢀ

ꢁ55ꢀ

+175ꢀ °Cꢀꢀ

°Cꢀꢀ

+175ꢀ °Cꢀꢀ

switchingꢀatꢀfrequenciesꢀtoꢀ30MHzꢀ

•ꢁ Easyꢀtoꢀmount—noꢀinsulatorsꢀneededꢀ

ꢀ

T_JM

T_stg

T_Lꢀ

ꢀ

175ꢀ

ꢀ

•ꢁ Highꢀpowerꢀdensityꢀ

ꢀ

ꢁ55ꢀ

1.6mmꢀ(0.063ꢀin)ꢀfromꢀcaseꢀforꢀ10ꢀsꢀ

ꢀ

300ꢀ

3ꢀ

ꢀ

°Cꢀꢀ

gꢀ

Weightꢀ

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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DE4ID	KINGBRIGHT	获取价格	15mmx15mm LIGHT BAR
DE4SGD	KINGBRIGHT	获取价格	15mmx15mm LIGHT BAR
DE4SRD	KINGBRIGHT	获取价格	15mmx15mm LIGHT BAR
DE4SYKD	KINGBRIGHT	获取价格	LIGHT BAR 590NM YLW 15X15MM
DE4YD	KINGBRIGHT	获取价格	15mmx15mm LIGHT BAR
DE50-6C331K500	MURATA	获取价格	CAPACITOR, CERAMIC, 500V, C, 0.00033uF, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED
DE506R102K250	MURATA	获取价格	CAPACITOR, CERAMIC, 250V, R, 0.001uF, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED

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