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DE475-102N21A_09

更新时间： 2022-10-26 18:32:56
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RF Power MOSFET

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DE475-102N21A_09 数据手册

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DE475-102N21A  
RFꢀPowerꢀMOSFETꢀ  
♦ꢁ NꢁChannelꢀEnhancementꢀModeꢀ  
♦ꢁ LowꢀQgꢀandꢀRgꢀ  
VDSS  
ꢀ
=ꢀ 1000ꢀVꢀ  
♦ꢁ Highꢀdv/dtꢀ  
♦ꢁ NanosecondꢀSwitchingꢀ  
♦ꢁ 30MHzꢀMaximumꢀFrequencyꢀ  
ID25ꢀ  
=ꢀ  
24ꢀAꢀ  
RDS(on)ꢀ ≤ꢀ  
0.45ꢀꢀꢀ  
Symbolꢀ  
VDSS  
VDGR  
VGS  
VGSM  
ID25  
IDM  
ARꢀ  
TestꢀConditionsꢀ  
TJꢀ=ꢀ25°Cꢀtoꢀ150°Cꢀꢀ  
TJꢀ=ꢀ25°Cꢀtoꢀ150°C;ꢀRGSꢀ=ꢀ1ꢀMꢀꢀꢀ  
Continuousꢀ  
MaximumꢀRatingsꢀꢀ  
ꢀ
1000ꢀ  
1000ꢀ  
±20ꢀ  
Vꢀ  
V
PDCꢀ  
=ꢀ 1800Wꢀ  
ꢀ
ꢀ
Vꢀ  
Transientꢀ  
ꢀ
±30ꢀ  
24ꢀ  
Vꢀ  
Aꢀ  
Tcꢀ=ꢀ25°Cꢀꢀ  
ꢀ
Tcꢀ=ꢀ25°C,ꢀpulseꢀwidthꢀlimitedꢀbyꢀTJMꢀꢀ  
Tcꢀ=ꢀ25°Cꢀꢀ  
ꢀ
144ꢀ  
21ꢀ  
Aꢀ  
I
Aꢀ  
Tcꢀ=ꢀ25°Cꢀꢀ  
EAR  
ꢀ
ꢀ
30ꢀ  
mJꢀ  
ISꢀ≤ꢁIDM,ꢀdi/dtꢀ≤ꢁꢀ100A/ꢂs,ꢀVDDꢀ≤ꢀVDSS,ꢀꢀ  
Tjꢀ≤ꢀ150°C,ꢀRGꢀ=ꢀ0.2ꢀꢀꢀ  
5ꢀ V/nsꢀ  
dv/dtꢀꢀ  
ISꢀ=ꢀ0ꢀ  
ꢀ
>200ꢀ V/nsꢀ  
PDC  
ꢀ
1800ꢀ  
730ꢀ  
Wꢀ  
Wꢀ  
DRAIN  
Tcꢀ=ꢀ25°Cꢀ  
Derateꢀ4.0W/°Cꢀaboveꢀ25°Cꢀ  
PDHS  
ꢀ
GATE  
Tcꢀ=ꢀ25°Cꢀꢀ  
PDAMB  
ꢀ
4.5ꢀ  
Wꢀ  
ꢀ
ꢀ
RthJC  
ꢀ
0.08ꢀ C/Wꢀ  
0.20ꢀ C/Wꢀ  
SG1 SG2  
SD1  
SD2  
RthJHS  
ꢀ
Featuresꢀ  
•ꢁ IsolatedꢀSubstrateꢀ  
Symbolꢀ  
TestꢀConditions  
CharacteristicꢀValuesꢀ  
TJꢀ=ꢀ25°Cꢀunlessꢀotherwiseꢀspecifiedꢀꢀ  
−ꢁ highꢀisolationꢀvoltageꢀ(>2500V)ꢀ  
−ꢁ excellentꢀthermalꢀtransferꢀ  
ꢀ
ꢀ
min.ꢀ  
1000ꢀ  
3.5ꢀ  
typ.ꢀ  
max.ꢀ ꢀ  
−ꢁ Increasedꢀtemperatureꢀandꢀpowerꢀ  
VGSꢀ=ꢀ0ꢀV,ꢀIDꢀ=ꢀ3ꢀmaꢀ  
VDSꢀ=ꢀVGS,ꢀIDꢀ=ꢀ4ꢀmaꢀ  
VGSꢀ=ꢀ±20ꢀVDC,ꢀVDSꢀ=ꢀ0ꢀ  
VDSS  
VGS(th)  
IGSS  
IDSS  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Vꢀ  
Vꢀ  
cyclingꢀcapabilityꢀꢀꢀ  
•ꢁ IXYSꢀadvancedꢀlowꢀQgꢀprocessꢀ  
•ꢁ Lowꢀgateꢀchargeꢀandꢀcapacitancesꢀ  
−ꢁ easierꢀtoꢀdriveꢀ  
ꢀ
4.4ꢀ  
5.5ꢀ  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
±100ꢀ nAꢀ  
−ꢁ fasterꢀswitchingꢀ  
VDSꢀ=ꢀ0.8ꢀVDSSꢀTJꢀ=ꢀ25°Cꢀꢀ  
VGSꢀ=ꢀ0ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀTJꢀ=ꢀ125°Cꢀꢀ  
ꢀ
ꢀ
50ꢀ  
1ꢀ  
ꢂAꢀ  
mAꢀ  
•ꢁ LowꢀRDS(on)  
ꢀ
•ꢁ Veryꢀlowꢀinsertionꢀinductanceꢀ(<2nH)ꢀ  
VGSꢀ=ꢀ15ꢀV,ꢀIDꢀ=ꢀ0.5ID25  
Pulseꢀtest,ꢀtꢀ≤ꢀ300ꢂS,ꢀdutyꢀcycleꢀdꢀ≤ꢀ2%ꢀꢀ  
ꢀ
RDS(on)  
ꢀ
ꢀ
0.45ꢀ  
ꢀꢀ  
•ꢁ Noꢀberylliumꢀoxideꢀ(BeO)ꢀorꢀotherꢀhazꢁ  
ardousꢀmaterialsꢀꢀ  
ꢀ
VDSꢀ=ꢀ15ꢀV,ꢀIDꢀ=ꢀ0.5ID25,ꢀpulseꢀtestꢀ  
gfsꢀ  
TJꢀ  
ꢀ
12ꢀ  
ꢀ
ꢀ
Sꢀ  
Advantagesꢀ  
ꢀ
ꢁ55ꢀ  
+175ꢀ °Cꢀꢀꢀ  
•ꢁ OptimizedꢀforꢀRFꢀandꢀhighꢀspeedꢀ  
switchingꢀatꢀfrequenciesꢀtoꢀ30MHzꢀ  
ꢀ
TJM  
Tstg  
TLꢀ  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
175ꢀ  
ꢀ
ꢀ
°Cꢀꢀꢀꢀ  
•ꢁ Easyꢀtoꢀmount—noꢀinsulatorsꢀneededꢀ  
•ꢁ Highꢀpowerꢀdensityꢀ  
ꢀ
ꢁ55ꢀ  
+175ꢀ °Cꢀꢀꢀꢀꢀ  
ꢀ
1.6mmꢀ(0.063ꢀin)ꢀfromꢀcaseꢀforꢀ10ꢀsꢀꢀ  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
300ꢀ  
3ꢀ  
ꢀ
ꢀ
°Cꢀꢀꢀꢀꢀꢀ  
gꢀ  
Weightꢀ  
12345

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