5秒后页面跳转
D2020UK PDF预览

D2020UK

更新时间: 2024-11-30 14:54:03
品牌 Logo 应用领域
TTELEC /
页数 文件大小 规格书
2页 20K
描述
Gold metallised multi-purpose silicon DMOS RF FET

D2020UK 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:SO-8Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.56
外壳连接:SOURCE配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:65 VFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-MDSO-G8
JESD-609代码:e4元件数量:1
端子数量:8工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:200 °C封装主体材料:METAL
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:GOLD端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

D2020UK 数据手册

 浏览型号D2020UK的Datasheet PDF文件第2页 
TetraFET  
D2020UK  
ROHS COMPLIANTMETAL GATE RF SILICON FET  
MECHANICAL DATA  
GOLD METALLISED  
A
N
8
1
2
3
4
MULTI-PURPOSE SILICON  
D
7
6
5
DMOS RF FET  
5W – 28V – 1GHz  
SINGLE ENDED  
C
B
P
H
K
FEATURES  
M
L
J
E
F
• SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN  
• SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS  
G
SO8 PACKAGE  
• VERY LOW C  
PIN 1 – SOURCE  
PIN 2 – DRAIN  
PIN 3 – DRAIN  
PIN 4 – SOURCE  
PIN 5 – SOURCE  
PIN 6 – GATE  
rss  
• SIMPLE BIAS CIRCUITS  
• LOW NOISE  
PIN 7 – GATE  
PIN 8 – SOURCE  
Dim.  
A
B
C
D
E
F
G
mm  
4.06  
5.08  
1.27  
0.51  
3.56  
4.06  
1.65  
Tol.  
Inches  
0.160  
0.200  
0.050  
0.020  
0.140  
0.160  
0.065  
Tol.  
• HIGH GAIN – 13 dB MINIMUM  
±0.08  
±0.08  
±0.08  
±0.08  
±0.08  
±0.08  
±0.08  
+0.25  
-0.00  
Min.  
Max.  
Max.  
Min.  
Max.  
±0.08  
Max.  
±0.08  
±0.003  
±0.003  
±0.003  
±0.003  
±0.003  
±0.003  
±0.003  
+0.010  
-0.000  
Min.  
Max.  
Max.  
Min.  
Max.  
±0.003  
Max.  
±0.003  
APPLICATIONS  
HF/VHF/UHF COMMUNICATIONS  
from 1 MHz to 1 GHz  
H
0.76  
0.030  
0.51  
1.02  
45°  
0°  
0.020  
0.040  
45°  
0°  
7°  
0.008  
0.086  
0.180  
J
K
L
7°  
M
N
P
0.20  
2.18  
4.57  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T  
= 25°C unless otherwise stated)  
case  
P
Power Dissipation  
30W  
65V  
D
BV  
BV  
Drain – Source Breakdown Voltage *  
Gate – Source Breakdown Voltage*  
Drain Current  
DSS  
±20V  
GSS  
I
2A  
D(sat)  
T
T
Storage Temperature  
–65 to 150°C  
200°C  
stg  
Maximum Operating Junction Temperature  
j
Prelim. 9/95  
Semelab plc. Telephone (01455) 556565. Telex: 341927. Fax (01455) 552612.  

与D2020UK相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
D2021 SEME-LAB

获取价格

METAL GATE RF SILICON FET
D2021UK SEME-LAB

获取价格

METAL GATE RF SILICON FET
D2021UK TTELEC

获取价格

Gold metallised multi-purpose silicon DMOS RF FET
D2022UK SAMES

获取价格

GOLD METALLISED MULTI-PURPOSE SILICON DMOS RF FET 45W - 28V - 500MHz PUSH-PULL
D2022UK SEME-LAB

获取价格

METAL GATE RF SILICON FET
D2022UK TTELEC

获取价格

Gold metallised multi-purpose silicon DMOS RF FET
D2024 ETC

获取价格

双通道音频功率放大电路
D2024UK SEME-LAB

获取价格

METAL GATE RF SILICON FET
D2024UK TTELEC

获取价格

OBSOLETE Gold metallised multi-purpose silicon DMOS RF FET
D2025 LITTELFUSE

获取价格

Teccor manufactures 15 A rms to 25 A rms rectifiers with voltages rated from 200V to 1000V