5秒后页面跳转
D2025L68 PDF预览

D2025L68

更新时间: 2024-09-24 21:05:07
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 局域网高压二极管
页数 文件大小 规格书
3页 411K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15.9A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB,

D2025L68 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.39
其他特性:HIGH SURGE CAPABILITY, UL RECOGNIZED应用:HIGH VOLTAGE
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:2
最大非重复峰值正向电流:350 A元件数量:1
相数:1端子数量:3
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:15.9 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:200 V最大反向恢复时间:4 µs
表面贴装:NO端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:10Base Number Matches:1

D2025L68 数据手册

 浏览型号D2025L68的Datasheet PDF文件第2页浏览型号D2025L68的Datasheet PDF文件第3页 

与D2025L68相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
D2025LV LITTELFUSE

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15.9A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ROHS COMPLIANT
D2025UK SEME-LAB

获取价格

METAL GATE RF SILICON FET
D2026UK TTELEC

获取价格

OBSOLETE Gold metallised multi-purpose silicon DMOS RF FET
D2029UK SEME-LAB

获取价格

METAL GATE RF SILICON FET
D2029UK TTELEC

获取价格

OBSOLETE Gold metallised multi-purpose silicon DMOS RF FET
D202E MPD

获取价格

Low Cost, 2W SIP Single & Dual Output DC/DC Converters
D202ED MPD

获取价格

Very Low Cost, 2W SIP Dual Isolated Output DC/DC Converters
D202EI MPD

获取价格

Low Cost, 2W SIP High Isolation DC/DC Converters
D202ERU MPD

获取价格

Low Cost, 4:1 Input Miniature, 2W SIP DC/DC Converters
D202ERW MPD

获取价格

Low Cost, Miniature 2W SIP, Wide Input DC/DC Con vert ers