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D2024UK

更新时间： 2024-12-01 14:54:19
品牌 Logo 应用领域
TTELEC 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 24K
描述
OBSOLETE Gold metallised multi-purpose silicon DMOS RF FET

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D2024UK 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SO-8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.69
其他特性：LOW NOISE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：65 VFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-XDSO-G8
JESD-609代码：e4元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：200 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：GOLD端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

D2024UK 数据手册

 浏览型号D2024UK的Datasheet PDF文件第2页 
TetraFET  
D2024UK  
ROHS COMPLIANT METAL GATE RF SILICON FET  
MECHANICAL DATA  
GOLD METALLISED  
Dimensions in mm.  
A
N
MULTI-PURPOSE SILICON  
8
1
2
3
4
DMOS RF FET  
10W – 28V – 1GHz  
D
7
6
5
C
B
P
SINGLE ENDED  
H
K
FEATURES  
M
L
• SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN  
J
E
F
G
• SUITABLE FOR BROAD BAND  
APPLICATIONS  
SO8 PACKAGE  
PIN 1 – SOURCE  
PIN 2 – DRAIN  
PIN 3 – DRAIN  
PIN 4 – SOURCE  
PIN 5 – SOURCE  
PIN 6 – GATE  
• VERY LOW C  
rss  
PIN 7 – GATE  
• SIMPLE BIAS CIRCUITS  
• LOW NOISE  
PIN 8 – SOURCE  
Dim.  
A
B
C
D
E
F
G
mm  
4.06  
5.08  
1.27  
0.51  
3.56  
4.06  
1.65  
Tol.  
Inches  
Tol.  
±0.08  
±0.08  
±0.08  
±0.08  
±0.08  
±0.08  
±0.08  
+0.25  
-0.00  
Min.  
Max.  
Max.  
Min.  
Max.  
±0.08  
Max.  
±0.08  
0.160  
0.200  
0.050  
0.020  
0.140  
0.160  
0.065  
±0.003  
±0.003  
±0.003  
±0.003  
±0.003  
±0.003  
±0.003  
+0.010  
-0.000  
Min.  
• HIGH GAIN  
APPLICATIONS  
H
0.76  
0.030  
0.51  
1.02  
45°  
0°  
0.020  
0.040  
45°  
• HF/VHF/UHF COMMUNICATIONS  
from 1 MHz to 1 GHz  
J
K
L
Max.  
Max.  
0°  
Min.  
7°  
7°  
Max.  
M
N
P
0.20  
2.18  
4.57  
0.008  
0.086  
0.180  
±0.003  
Max.  
±0.003  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T  
= 25°C unless otherwise stated)  
29W  
case  
P
Power Dissipation  
D
BV  
BV  
Drain – Source Breakdown Voltage  
Gate – Source Breakdown Voltage  
Drain Current  
65V  
±20V  
DSS  
GSS  
I
4A  
D(sat)  
T
T
Storage Temperature  
–65 to 150°C  
200°C  
stg  
Maximum Operating Junction Temperature  
j
Semelab plc. Telephone +44(0)1455) 556565. Fax +44(0)1455) 552612.  
E-mail: sales@semelab.co.uk Website http://www.semelab.co.uk  
Prelim.6/00  
12

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与D2024UK相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
D2025 LITTELFUSE

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 		Teccor manufactures 15 A rms to 25 A rms rectifiers with voltages rated from 200V to 1000V
D2025L LITTELFUSE

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 		Teccor manufactures 15 A rms to 25 A rms rectifiers with voltages rated from 200V to 1000V
D2025L51V TECCOR

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15.9A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB,
D2025L52 LITTELFUSE

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15.9A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB,
D2025L53 TECCOR

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15.9A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB
D2025L53 LITTELFUSE

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15.9A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB,
D2025L53V TECCOR

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15.9A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB,
D2025L55 LITTELFUSE

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15.9A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ROHS COMPLIANT
D2025L56V TECCOR

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15.9A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB,
D2025L58 TECCOR

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15.9A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB

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