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D2024UK

更新时间： 2024-02-20 00:47:03
品牌 Logo 应用领域
SEME-LAB 射频
页数 文件大小 规格书
2页 23K
描述
METAL GATE RF SILICON FET

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D2024UK 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SO-8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.69
其他特性：LOW NOISE配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：65 VFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-XDSO-G8
JESD-609代码：e4元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：200 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：GOLD端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

D2024UK 数据手册

 浏览型号D2024UK的Datasheet PDF文件第2页 
TetraFET  
D2024UK  
METAL GATE RF SILICON FET  
MECHANICAL DATA  
GOLD METALLISED  
MULTI-PURPOSE SILICON  
DMOS RF FET  
Dimensions in mm.  
A
N
8
1
2
3
4
D
7
6
5
C
B
P
10W – 28V – 1GHz  
SINGLE ENDED  
H
K
FEATURES  
M
L
• SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN  
J
E
F
G
• SUITABLE FOR BROAD BAND  
APPLICATIONS  
SO8 PACKAGE  
PIN 1 – SOURCE  
PIN 2 – DRAIN  
PIN 3 – DRAIN  
PIN 4 – SOURCE  
PIN 5 – SOURCE  
PIN 6 – GATE  
• VERY LOW C  
rss  
PIN 7 – GATE  
• SIMPLE BIAS CIRCUITS  
• LOW NOISE  
PIN 8 – SOURCE  
Dim.  
A
B
C
D
E
F
G
mm  
4.06  
5.08  
1.27  
0.51  
3.56  
4.06  
1.65  
Tol.  
Inches  
Tol.  
±0.08  
±0.08  
±0.08  
±0.08  
±0.08  
±0.08  
±0.08  
+0.25  
-0.00  
Min.  
Max.  
Max.  
Min.  
Max.  
±0.08  
Max.  
±0.08  
0.160  
0.200  
0.050  
0.020  
0.140  
0.160  
0.065  
±0.003  
±0.003  
±0.003  
±0.003  
±0.003  
±0.003  
±0.003  
+0.010  
-0.000  
Min.  
• HIGH GAIN  
APPLICATIONS  
H
0.76  
0.030  
0.51  
1.02  
45°  
0°  
0.020  
0.040  
45°  
• HF/VHF/UHF COMMUNICATIONS  
from 1 MHz to 1 GHz  
J
K
L
Max.  
Max.  
0°  
Min.  
7°  
7°  
Max.  
M
N
P
0.20  
2.18  
4.57  
0.008  
0.086  
0.180  
±0.003  
Max.  
±0.003  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T  
= 25°C unless otherwise stated)  
29W  
case  
P
Power Dissipation  
D
BV  
BV  
Drain – Source Breakdown Voltage  
Gate – Source Breakdown Voltage  
Drain Current  
65V  
±20V  
DSS  
GSS  
I
4A  
D(sat)  
T
T
Storage Temperature  
–65 to 150°C  
200°C  
stg  
Maximum Operating Junction Temperature  
j
Semelab plc. Telephone +44(0)1455) 556565. Fax +44(0)1455) 552612.  
E-mail: sales@semelab.co.uk Website http://www.semelab.co.uk  
Prelim.6/00  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
D2025 LITTELFUSE

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 		Teccor manufactures 15 A rms to 25 A rms rectifiers with voltages rated from 200V to 1000V
D2025L LITTELFUSE

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 		Teccor manufactures 15 A rms to 25 A rms rectifiers with voltages rated from 200V to 1000V
D2025L51V TECCOR

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15.9A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB,
D2025L52 LITTELFUSE

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15.9A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB,
D2025L53 TECCOR

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15.9A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB
D2025L53 LITTELFUSE

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15.9A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB,
D2025L53V TECCOR

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15.9A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB,
D2025L55 LITTELFUSE

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15.9A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ROHS COMPLIANT
D2025L56V TECCOR

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15.9A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB,
D2025L58 TECCOR

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 15.9A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB

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