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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.47 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH SURGE CAPABILITY, UL RECOGNIZED |
| 应用： | HIGH VOLTAGE | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 2 | 最大非重复峰值正向电流： | 300 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 最大输出电流： | 12.7 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 200 V |
| 最大反向恢复时间： | 4 µs | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| D2020L65V | TECCOR |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12.7A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB, |
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| D2020L68 | TECCOR |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12.7A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB, |
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| D2020L68V | TECCOR |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12.7A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB, |
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| D2020LV | LITTELFUSE |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12.7A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ROHS COMPLIANT |
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| D2020LV | TECCOR |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 12.7A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ISOLATED TO-22 |
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| D2020UK | SEME-LAB |
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METAL GATE RF SILICON FET |
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| D2020UK | TTELEC |
获取价格 |
Gold metallised multi-purpose silicon DMOS RF FET |
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| D2021 | SEME-LAB |
获取价格 |
METAL GATE RF SILICON FET |
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| D2021UK | SEME-LAB |
获取价格 |
METAL GATE RF SILICON FET |
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| D2021UK | TTELEC |
获取价格 |
Gold metallised multi-purpose silicon DMOS RF FET |
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