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CYK256K16MCBU-55BVXI

更新时间: 2024-01-19 18:31:05
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赛普拉斯 - CYPRESS /
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10页 387K
描述
4-Mbit (256K x 16) Pseudo Static RAM

CYK256K16MCBU-55BVXI 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-48
针数:48Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.84最长访问时间:55 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PBGA-B48
JESD-609代码:e1长度:8 mm
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:PSEUDO STATIC RAM
内存宽度:16湿度敏感等级:3
功能数量:1端子数量:48
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-25 °C组织:256KX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:VFBGA封装等效代码:BGA48,6X8,30
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):260
电源:3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1 mm最大待机电流:0.00004 A
子类别:Other Memory ICs最大压摆率:0.022 mA
最大供电电压 (Vsup):3.3 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:OTHER
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式:BALL
端子节距:0.75 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:20宽度:6 mm

CYK256K16MCBU-55BVXI 数据手册

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CYK256K16MCCB  
MoBL3™  
Switching Characteristics Over the Operating Range[10] (continued)  
55 ns[14]  
60 ns  
Max.  
70 ns  
Parameter  
Description  
BLE/BHE LOW to Write End  
Data Set-Up to Write End  
Data Hold from Write End  
WE LOW to High-Z[11, 13]  
WE HIGH to Low-Z[11, 13]  
Min.  
50  
25  
0
Max.  
Min.  
50  
25  
0
Min.  
55  
25  
0
Max.  
Unit  
ns  
tBW  
tSD  
tHD  
ns  
ns  
tHZWE  
tLZWE  
25  
25  
25  
ns  
5
5
5
ns  
Switching Waveforms  
Read Cycle 1 (Address Transition Controlled)[14, 15, 16]  
tRC  
ADDRESS  
tAA  
tSK  
tOHA  
DATA OUT  
PREVIOUS DATA VALID  
DATA VALID  
Read Cycle 2 (OE Controlled)[14, 16]  
ADDRESS  
tRC  
t
SK  
CE  
tHZCE  
tACE  
BHE/BLE  
tDBE  
tHZBE  
tLZBE  
OE  
tHZOE  
tDOE  
tLZOE  
HIGH  
IMPEDANCE  
HIGH IMPEDANCE  
DATA OUT  
DATA VALID  
tLZCE  
ICC  
ISB  
V
CC  
50%  
50%  
SUPPLY  
CURRENT  
Notes:  
15. Device is continuously selected. OE, CE = V .  
IL  
16. WE is HIGH for Read Cycle.  
Document #: 38-05585 Rev. *F  
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