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CYK256K16MCBU-55BVXI

更新时间： 2024-02-14 04:24:42
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS /
页数 文件大小 规格书
10页 387K
描述
4-Mbit (256K x 16) Pseudo Static RAM

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CYK256K16MCBU-55BVXI 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-48
针数：48Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.84最长访问时间：55 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PBGA-B48
JESD-609代码：e1长度：8 mm
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：PSEUDO STATIC RAM
内存宽度：16湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：48
字数：262144 words字数代码：256000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-25 °C组织：256KX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：VFBGA封装等效代码：BGA48,6X8,30
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1 mm最大待机电流：0.00004 A
子类别：Other Memory ICs最大压摆率：0.022 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.3 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：OTHER
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：BALL
端子节距：0.75 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：20宽度：6 mm

CYK256K16MCBU-55BVXI 数据手册

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CYK256K16MCCB  
MoBL3™  
DC Input Voltage[6, 7, 8] ....................................–0.4V to 3.7V  
Output Current into Outputs (LOW) ............................ 20 mA  
Maximum Ratings  
(Above which the useful life may be impaired. For user guide-  
lines, not tested.)  
Static Discharge Voltage ......................................... > 2001V  
(per MIL-STD-883, Method 3015)  
Storage Temperature ................................–65°C to + 150°C  
Latch-up Current ....................................................> 200 mA  
Ambient Temperature with  
Power Applied ...........................................–55°C to + 125°C  
Operating Range  
Supply Voltage to Ground Potential ................ –0.4V to 4.6V  
Range  
Ambient Temperature  
VCC  
DC Voltage Applied to Outputs  
Industrial  
–25°C to +85°C  
2.70V to 3.30V  
in High-Z State[6, 7, 8] ....................................... –0.4V to 3.7V  
Electrical Characteristics Over the Operating Range  
CYK256K16MCCB -55, 60, 70  
Parameter  
VCC  
Description  
Test Conditions  
Min.  
2.7  
Typ.[5]  
Max.  
Unit  
V
Supply Voltage  
3.0  
3.3  
VOH  
Output HIGH Voltage IOH = –0.1 mA  
VCC = 2.70V  
VCC = 2.70V  
VCC – 0.4  
V
VOL  
Output LOW  
Voltage  
IOL = 0.1 mA  
0.4  
V
VIH  
VIL  
IIX  
Input HIGH Voltage  
Input LOW Voltage  
0.8 * Vcc  
–0.4  
VCC + 0.4V  
V
V
0.6  
+1  
Input Leakage  
Current  
GND < VIN < VCC  
–1  
µA  
IOZ  
ICC  
Output Leakage  
Current  
GND < VOUT < VCC, Output Disabled  
–1  
+1  
µA  
VCC Operating  
Supply Current  
f = fMAX = 1/tRC  
VCC  
VCCmax  
=
14 for –55  
14 for –60  
8 for –70  
22 for –55  
22 for –60  
15 for –70  
mA  
IOUT = 0 mA  
CMOS levels  
f = 1 MHz  
1 for all speeds 5 for all speeds mA  
ISB1  
Automatic CE  
Power-Down  
Current—CMOS  
Inputs  
CE > VCC−0.2V  
VCC = 3.3V  
150  
250  
µA  
V
IN > VCC–0.2V, VIN <  
0.2V) f = fMAX (Address  
and Data Only), f = 0  
(OE, WE, BHE and  
BLE), VCC = 3.30V  
ISB2  
Automatic CE  
Power-Down  
Current—CMOS  
Inputs  
CE > VCC – 0.2V  
VIN > VCC – 0.2V or  
VCC = 3.3V  
17  
40  
µA  
VIN < 0.2V,  
f = 0, VCC = 3.30V  
Thermal Resistance[9]  
Parameter  
Description  
Test Conditions  
BGA  
Unit  
°C/W  
°C/W  
ΘJA  
ΘJC  
Thermal Resistance (Junction to Ambient)  
Thermal Resistance (Junction to Case)  
Test conditions follow standard test methods  
and procedures for measuring thermal  
impedence, per EIA/JESD51.  
55  
17  
Capacitance[9]  
Parameter  
Description  
Input Capacitance  
Output Capacitance  
Test Conditions  
TA = 25°C, f = 1 MHz,  
CC = VCC(typ)  
Max.  
Unit  
CIN  
8
8
pF  
pF  
V
COUT  
Notes:  
6. V  
7. V  
= –0.5V for pulse durations less than 20 ns.  
IL(MIN)  
= V + 0.5V for pulse durations less than 20 ns.  
IH(Max)  
CC  
8. Overshoot and undershoot specifications are characterized and are not 100% tested.  
9. Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters.  
Document #: 38-05585 Rev. *F  
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