Datasheet > 存储 > SRAM> CYK256K16SCCBU-70BVI

CYK256K16SCCBU-70BVI

更新时间： 2024-11-29 03:11:47

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赛普拉斯 - CYPRESS		存储内存集成电路静态存储器
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4-Mbit (256K x 16) Pseudo Static RAM

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CYK256K16SCCBU-70BVI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, VFBGA-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.88	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	70 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B48	JESD-609代码：	e0
长度：	8 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	PSEUDO STATIC RAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	256KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VFBGA
封装等效代码：	BGA48,6X8,30	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	240	电源：	3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1 mm
最大待机电流：	0.00004 A	子类别：	Other Memory ICs
最大压摆率：	0.015 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.75 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	6 mm	Base Number Matches：	1

CYK256K16SCCBU-70BVI 数据手册

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CYK256K16SCCB

4-Mbit (256K x 16) Pseudo Static RAM

in portable applications such as cellular telephones. The

device can be put into standby mode reducing power

consumption dramatically when deselected (CE₁LOW, CE₂

HIGH or both BHE and BLE are HIGH). The input/output pins

(I/O₀through I/O₁₅) are placed in a high-impedance state

when: deselected (CE₁HIGH, CE₂LOW, OE is deasserted

HIGH), or during a write operation (Chip Enabled and Write

Enable WE LOW).

Features

• Advanced low-power MoBL^®architecture

• High speed: 55 ns, 60 ns and 70 ns

• Wide voltage range: 2.7V to 3.3V

• Typical active current: 1 mA @ f = 1 MHz

• Low standby power

Reading from the device is accomplished by asserting the

Chip Enables (CE₁LOW and CE₂HIGH) and Output Enable

(OE) LOW while forcing the Write Enable (WE) HIGH. If Byte

Low Enable (BLE) is LOW, then data from the memory location

specified by the address pins A₀through A₁₇will appear on

I/O₀to I/O₇. If Byte High Enable (BHE) is LOW, then data from

memory will appear on I/O₈to I/O₁₅. See the Truth Table for a

complete description of read and write modes.

• Automatic power-down when deselected

Functional Description^[1]

The CYK256K16SCCB is a high-performance CMOS pseudo

static RAM (PSRAM) organized as 256K words by 16 bits that

supports an asynchronous memory interface. This device

features advanced circuit design to provide ultra-low active

current. This is ideal for providing More Battery Life™ (MoBL)

Logic Block Diagram

DATA IN DRIVERS

A₁₀

A₉

A₈

A₇

A₆

A₅

A₄

A₃

A₂

A₁

A₀

256K x 16

RAM Array

I/O₀–I/O₇

I/O₈–I/O₁₅

COLUMN DECODER

BHE

CE₂

CE₁

BLE

CE₂

CE₁

Power -Down

Circuit

BHE

BLE

Note:

1. For best-practice recommendations, please refer to the Cypress application note “System Design Guidelines” on http://www.cypress.com.

Cypress Semiconductor Corporation

Document #: 38-05526 Rev. *H

•

198 Champion Court

•

San Jose, CA 95134-1709

•

408-943-2600

Revised October 18, 2006

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