Datasheet > 存储 > SRAM> CYK512K16SCCAU-70BAI

CYK512K16SCCAU-70BAI

更新时间： 2024-11-29 03:11:43

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赛普拉斯 - CYPRESS		存储内存集成电路静态存储器
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描述
8-Mbit (512K x 16) Pseudo Static RAM

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CYK512K16SCCAU-70BAI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DSBGA	包装说明：	6 X 8 MM, 1.20 MM HEIGHT, MO-207, FBGA-48
针数：	48	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.89	最长访问时间：	70 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
JESD-609代码：	e0	长度：	8 mm
内存密度：	8388608 bit	内存集成电路类型：	PSEUDO STATIC RAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	512KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA48,6X8,30	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	240	电源：	3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.0001 A	子类别：	Other Memory ICs
最大压摆率：	0.017 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.3 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.75 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	6 mm	Base Number Matches：	1

CYK512K16SCCAU-70BAI 数据手册

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CYK512K16SCCA

MoBL^®

8-Mbit (512K x 16) Pseudo Static RAM

Features

Functional Description^[1]

• Advanced low-power MoBL^®architecture

• High speed: 55 ns, 70 ns

The CYK512K16SCCA is a high-performance CMOS pseudo

static RAM (PSRAM) organized as 512K words by 16 bits that

supports an asynchronous memory interface. This device

features advanced circuit design to provide ultra-low active

current. This is ideal for providing More Battery Life™ (MoBL)

in portable applications such as cellular telephones. The

device can be put into standby mode reducing power

consumption dramatically when deselected (CE₁LOW, CE₂

HIGH or both BHE and BLE are HIGH). The input/output pins

(I/O₀through I/O₁₅) are placed in a high-impedance state

when: deselected (CE₁HIGH, CE₂LOW), OE is deasserted

HIGH, or during a write operation (Chip Enabled and Write

Enable WE LOW). Reading from the device is accomplished

by asserting the Chip Enables (CE₁LOW and CE₂HIGH) and

Output Enable (OE) LOW while forcing the Write Enable (WE)

HIGH. If Byte Low Enable (BLE) is LOW, then data from the

memory location specified by the address pins will appear on

I/O₀to I/O₇. If Byte High Enable (BHE) is LOW, then data from

memory will appear on I/O₈to I/O₁₅. See the Truth Table for a

complete description of read and write modes.

• Wide voltage range: 2.7V to 3.3V

• Typical active current: 2 mA @ f = 1 MHz

• Typical active current: 11 mA @ f = f_MAX

• Low standby power

• Automatic power-down when deselected

Logic Block Diagram

DATA IN DRIVERS

A₁₀

A₉

A₈

A₇

A₆

A₅

A₄

A₃

A₂

A₁

A₀

512K x 16

RAM Array

I/O₀–I/O₇

I/O₈–I/O₁₅

COLUMN DECODER

BHE

CE₂

CE₁

BLE

CE₂

CE₁

Power -Down

Circuit

BHE

BLE

Note:

1. For best-practice recommendations, please refer to the Cypress application note “System Design Guidelines” on http://www.cypress.com.

Cypress Semiconductor Corporation

Document #: 38-05425 Rev. *E

•

3901 North First Street

•

San Jose, CA 95134

•

408-943-2600

Revised January 25, 2005

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CYL	EDI	获取价格	HIGH VOLTAGE CYLINDER SILICON RECTIFIERS
CYL008M162FFBU-1ABAI	CYPRESS	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX16, 8ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, VFBGA-54
CYL2T0201-AIP	ETC	获取价格	Framers and Mappers
CYLE1049DV33-12VE	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 12ns, CMOS, PDSO36, PLASTIC, SOP-36
CYLE1049DV33-12ZSE	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 12ns, CMOS, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44
CYM1220HD-10C	ETC	获取价格	x4 SRAM Module
CYM1220HD-12C	ETC	获取价格	x4 SRAM Module
CYM1220HD-12MB	ETC	获取价格	x4 SRAM Module
CYM1220HD-15C	ETC	获取价格	x4 SRAM Module
CYM1220HD-15MB	ETC	获取价格	x4 SRAM Module

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