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CYDM128B16-55BVXC

更新时间： 2024-01-28 07:43:44
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
24页 549K
描述
1.8V 4K/8K/16K x 16 and 8K/16K x 8 MoBL® Dual-Port Static RAM

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CYDM128B16-55BVXC 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：BGA
包装说明：6 X 6 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, MO-195C, VFBGA-100针数：100
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.79
最长访问时间：55 ns其他特性：ALSO OPERATES AT 2.5V AND 3V SUPPLY
JESD-30 代码：S-PBGA-B100JESD-609代码：e1
长度：6 mm内存密度：131072 bit
内存集成电路类型：DUAL-PORT SRAM内存宽度：16
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：100字数：8192 words
字数代码：8000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：8KX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：VFBGA封装形状：SQUARE
封装形式：GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：COMMERCIAL
座面最大高度：1 mm最大供电电压 (Vsup)：1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：TIN SILVER COPPER
端子形式：BALL端子节距：0.5 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：20
宽度：6 mmBase Number Matches：1

CYDM128B16-55BVXC 数据手册

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CYDM064B16, CYDM128B16, CYDM256B16  
1.8V 4K/8K/16K x 16 and 8K/16K x 8 MoBL®  
Dual-Port Static RAM  
Features  
■ True dual-ported memory cells that allow simultaneous access  
of the same memory location  
■ Expandable data bus to 32 bits with Master or Slave chip select  
when using more than one device  
■ 4, 8, or 16K × 16 organization  
■ On-chip arbitration logic  
■ Ultra Low operating power  
❐ Active: ICC = 15 mA (typical) at 55 ns  
❐ Standby: ISB3 = 2 μA (typical)  
■ Semaphores included to permit software handshaking  
between ports  
■ Input read registers and output drive registers  
■ INT flag for port-to-port communication  
■ Separate upper-byte and lower-byte control  
■ Industrial temperature ranges  
■ Small footprint: Available in a 6x6 mm 100-pin Pb-free vfBGA  
■ Port independent 1.8V, 2.5V, and 3.0V IOs  
■ Full asynchronous operation  
■ Automatic power down  
■ Pin select for Master or Slave  
Selection Guide for V = 1.8V  
CC  
CYDM256B16, CYDM128B16, CYDM064B16  
Parameter  
Unit  
(-55)  
Port IO Voltages (P1-P2)  
1.8V -1.8V  
V
Maximum Access Time  
55  
15  
2
ns  
Typical Operating Current  
Typical Standby Current for ISB1  
Typical Standby Current for ISB3  
mA  
μA  
μA  
2
Selection Guide for V = 2.5V  
CC  
CYDM256B16, CYDM128B16, CYDM064B16  
Parameter  
Unit  
(-55)  
Port IO Voltages (P1-P2)  
2.5V-2.5V  
V
Maximum Access Time  
55  
28  
6
ns  
Typical Operating Current  
Typical Standby Current for ISB1  
Typical Standby Current for ISB3  
mA  
μA  
μA  
4
Selection Guide for V = 3.0V  
CC  
CYDM256B16, CYDM128B16, CYDM064B16  
Parameter  
Unit  
(-55)  
Port IO Voltages (P1-P2)  
3.0V-3.0V  
V
Maximum Access Time  
55  
42  
7
ns  
Typical Operating Current  
Typical Standby Current for ISB1  
Typical Standby Current for ISB3  
mA  
μA  
μA  
6
Cypress Semiconductor Corporation  
Document #: 001-00217 Rev. *F  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised July 31, 2008  
[+] Feedback  
1234567...24

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CYDM128B16-55BVXI CYPRESS

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 		1.8V 4K/8K/16K x 16 and 8K/16K x 8 MoBL Dual-Port Static RAM
CYDM128B16-55BVXI ROCHESTER

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 		8KX16 DUAL-PORT SRAM, 55ns, PBGA100, 6 X 6 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, MO-1
CYDM128B16-55BVXIT CYPRESS

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 		暂无描述
CYDM256A16 CYPRESS

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 		1.8V 4K/8K/16K x 16 and 8K/16K x 8 MoBL㈢ Dual
CYDM256A16-35BVXC CYPRESS

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