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CYDMX256A16-90BVXI

更新时间： 2024-09-23 12:20:23

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赛普拉斯 - CYPRESS		/
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16 K/8 K/4 K x 16 MoBL ADM 16 K/8 K/4 K x 16 MoBL ADM High speed access

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CYDMX256A16-90BVXI 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	6 X 6 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, MO-195C, VFBGA-100
针数：	100	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	8
最长访问时间：	90 ns	其他特性：	IT CAN OPERATE ALSO 2.5 AND 3.3 VOLT
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	S-PBGA-B100
JESD-609代码：	e1	长度：	6 mm
内存密度：	262144 bit	内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端口数量：	2
端子数量：	100	字数：	16384 words
字数代码：	16000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	16KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VFBGA
封装等效代码：	BGA100,10X10,20	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.8/3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1 mm
最大待机电流：	0.000006 A	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.06 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	6 mm	Base Number Matches：	1

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CYDMX256A16, CYDMX256B16

CYDMX128A16, CYDMX128B16

CYDMX064A16, CYDMX064B16

16 K/8 K/4 K × 16 MoBL^®ADM

Asynchronous Dual-Port Static RAM

16 K/8 K/4

K × 16 MoBL^®ADM Asynchronous Dual-Port Static RAM

■ Ultra low operating power

❐ Active: I_CC= 15 mA (typical) at 90 ns

❐ Active: I_CC= 25 mA (typical) at 65 ns

❐ Standby: I_SB3= 2 A (typical)

Features

■ True dual-ported memory block that allow simultaneous

independent access

❐ One port with dedicated time multiplexed address and data

(ADM) interface

■ Port independent power down

❐ One port configurable to standard SRAM or time multiplexed

address and data interface

■ On-chip arbitration logic

■ Mailbox interrupt for port to port communication

■ Input Read and Output Drive registers

■ Upper byte and lower byte control

■ Small package: 6 × 6 mm, 100-ball Pb-free BGA

■ Industrial temperature range

■ 16 K/8 K/4 K × 16 memory configuration

■ High speed access

❐ 65 ns or 90 ns ADM interface

❐ 40 ns or 60 ns standard SRAM interface

■ Fully asynchronous operation

■ Port independent 1.8 V, 2.5 V, and 3.0 V IOs

Block Diagram

IRR1-IRR0 [note 2]

ODR4-ODR0

SFEN#

IRR/ODR

DataL<15..0>

AddrL<13..0>

DataR<15..0>

I/OL15-I/OL8

I/OL7-I/OL0

I/OR15-I/OR8

I/OR7-I/OR0

Mux'ed

Address /

Data

Mux'ed

Address/

Data

Dual Ported

Memory Array

16k/8k/4k x 16

ADV#L

UB#L

LB#L

ADV#R

UB#R

LB#R

AddrR<13..0>

I/O Control

A13-A0 [note 1]

MSEL

Address

Decode

Address

Decode

CS#L

OE#L

WE#L

CS#R

OE#R

WE#R

Control Logic

BUSY#L

INT#L

BUSY#R

INT#R

Notes

1. A13-A0 for CYDMX256A16 and CYDMX256B16; A12-A0 for CYDMX128A16 and CYDMX128B16; and A11-A0 for CYDMX064A16 and CYDMX064B16.

2. IRR1 and IRR2 not available for CYDMX256A16 and CYDMX256B16.

Cypress Semiconductor Corporation

Document #: 001-08090 Rev. *G

•

198 Champion Court

•

San Jose, CA 95134-1709

•

408-943-2600

Revised May 2, 2011

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