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CYDMX256B16-65BVXI

更新时间： 2024-09-23 12:20:23

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赛普拉斯 - CYPRESS		/
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16 K/8 K/4 K x 16 MoBL ADM 16 K/8 K/4 K x 16 MoBL ADM High speed access

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CYDMX256B16-65BVXI 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	BGA	包装说明：	VFBGA, BGA100,10X10,20
针数：	100	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.68	最长访问时间：	65 ns
其他特性：	IT CAN OPERATE ALSO 2.5 AND 3.3 VOLT	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	S-PBGA-B100	JESD-609代码：	e1
长度：	6 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	DUAL-PORT SRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	2	端子数量：	100
字数：	16384 words	字数代码：	16000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	16KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装等效代码：	BGA100,10X10,20
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	1.8/3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1 mm	最大待机电流：	0.000006 A
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	6 mm
Base Number Matches：	1

CYDMX256B16-65BVXI 数据手册

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CYDMX256A16, CYDMX256B16

CYDMX128A16, CYDMX128B16

CYDMX064A16, CYDMX064B16

16 K/8 K/4 K × 16 MoBL^®ADM

Asynchronous Dual-Port Static RAM

16 K/8 K/4

K × 16 MoBL^®ADM Asynchronous Dual-Port Static RAM

■ Ultra low operating power

❐ Active: I_CC= 15 mA (typical) at 90 ns

❐ Active: I_CC= 25 mA (typical) at 65 ns

❐ Standby: I_SB3= 2 A (typical)

Features

■ True dual-ported memory block that allow simultaneous

independent access

❐ One port with dedicated time multiplexed address and data

(ADM) interface

■ Port independent power down

❐ One port configurable to standard SRAM or time multiplexed

address and data interface

■ On-chip arbitration logic

■ Mailbox interrupt for port to port communication

■ Input Read and Output Drive registers

■ Upper byte and lower byte control

■ Small package: 6 × 6 mm, 100-ball Pb-free BGA

■ Industrial temperature range

■ 16 K/8 K/4 K × 16 memory configuration

■ High speed access

❐ 65 ns or 90 ns ADM interface

❐ 40 ns or 60 ns standard SRAM interface

■ Fully asynchronous operation

■ Port independent 1.8 V, 2.5 V, and 3.0 V IOs

Block Diagram

IRR1-IRR0 [note 2]

ODR4-ODR0

SFEN#

IRR/ODR

DataL<15..0>

AddrL<13..0>

DataR<15..0>

I/OL15-I/OL8

I/OL7-I/OL0

I/OR15-I/OR8

I/OR7-I/OR0

Mux'ed

Address /

Data

Mux'ed

Address/

Data

Dual Ported

Memory Array

16k/8k/4k x 16

ADV#L

UB#L

LB#L

ADV#R

UB#R

LB#R

AddrR<13..0>

I/O Control

A13-A0 [note 1]

MSEL

Address

Decode

Address

Decode

CS#L

OE#L

WE#L

CS#R

OE#R

WE#R

Control Logic

BUSY#L

INT#L

BUSY#R

INT#R

Notes

1. A13-A0 for CYDMX256A16 and CYDMX256B16; A12-A0 for CYDMX128A16 and CYDMX128B16; and A11-A0 for CYDMX064A16 and CYDMX064B16.

2. IRR1 and IRR2 not available for CYDMX256A16 and CYDMX256B16.

Cypress Semiconductor Corporation

Document #: 001-08090 Rev. *G

•

198 Champion Court

•

San Jose, CA 95134-1709

•

408-943-2600

Revised May 2, 2011

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