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Datasheet > 暂无类别数据> CYDM128B16-55BVXIT
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CYDM128B16-55BVXIT

更新时间： 2024-01-19 15:19:24
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 存储内存集成电路静态存储器
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CYDM128B16-55BVXIT 数据手册

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CYDM064B16, CYDM128B16, CYDM256B16  
1.8V 4K/8K/16K x 16 and 8K/16K x 8 MoBL®  
Dual-Port Static RAM  
Features  
■ True dual-ported memory cells that allow simultaneous access  
of the same memory location  
■ Expandable data bus to 32 bits with Master or Slave chip select  
when using more than one device  
■ 4, 8, or 16K × 16 organization  
■ On-chip arbitration logic  
■ Ultra Low operating power  
❐ Active: ICC = 15 mA (typical) at 55 ns  
❐ Standby: ISB3 = 2 μA (typical)  
■ Semaphores included to permit software handshaking  
between ports  
■ Input read registers and output drive registers  
■ INT flag for port-to-port communication  
■ Separate upper-byte and lower-byte control  
■ Industrial temperature ranges  
■ Small footprint: Available in a 6x6 mm 100-pin Pb-free vfBGA  
■ Port independent 1.8V, 2.5V, and 3.0V IOs  
■ Full asynchronous operation  
■ Automatic power down  
■ Pin select for Master or Slave  
Selection Guide for V = 1.8V  
CC  
CYDM256B16, CYDM128B16, CYDM064B16  
Parameter  
Unit  
(-55)  
Port IO Voltages (P1-P2)  
1.8V -1.8V  
V
Maximum Access Time  
55  
15  
2
ns  
Typical Operating Current  
Typical Standby Current for ISB1  
Typical Standby Current for ISB3  
mA  
μA  
μA  
2
Selection Guide for V = 2.5V  
CC  
CYDM256B16, CYDM128B16, CYDM064B16  
Parameter  
Unit  
(-55)  
Port IO Voltages (P1-P2)  
2.5V-2.5V  
V
Maximum Access Time  
55  
28  
6
ns  
Typical Operating Current  
Typical Standby Current for ISB1  
Typical Standby Current for ISB3  
mA  
μA  
μA  
4
Selection Guide for V = 3.0V  
CC  
CYDM256B16, CYDM128B16, CYDM064B16  
Parameter  
Unit  
(-55)  
Port IO Voltages (P1-P2)  
3.0V-3.0V  
V
Maximum Access Time  
55  
42  
7
ns  
Typical Operating Current  
Typical Standby Current for ISB1  
Typical Standby Current for ISB3  
mA  
μA  
μA  
6
Cypress Semiconductor Corporation  
Document #: 001-00217 Rev. *F  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised July 31, 2008  
[+] Feedback  
1234567...24

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CYDM128B16-55BVXIT 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CYDM256B16-55BVXI CYPRESS

完全替代

 1.8V 4K/8K/16K x 16 and 8K/16K x 8 MoBL Dual-Port Static RAM
CYDM128B16-55BVXI CYPRESS

完全替代

 1.8V 4K/8K/16K x 16 and 8K/16K x 8 MoBL Dual-Port Static RAM
CYDMX128A16-65BVXI CYPRESS

类似代替

 16 K/8 K/4 K x 16 MoBL ADM 16 K/8 K/4 K x 16 MoBL ADM High speed access

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CYDM256A16 CYPRESS

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 		1.8V 4K/8K/16K x 16 and 8K/16K x 8 MoBL㈢ Dual
CYDM256A16-35BVXC CYPRESS

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 		1.8V 4K/8K/16K x 16 and 8K/16K x 8 MoBL㈢ Dual
CYDM256A16-55BVXC CYPRESS

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 		1.8V 4K/8K/16K x 16 and 8K/16K x 8 MoBL㈢ Dual
CYDM256A16-55BVXI CYPRESS

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 		1.8V 4K/8K/16K x 16 and 8K/16K x 8 MoBL㈢ Dual
CYDM256B16 CYPRESS

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 		1.8V 4K/8K/16K x 16 MoBL㈢ Dual-Port Static RA
CYDM256B16-40BVXC CYPRESS

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 		Dual-Port SRAM, 16KX16, 40ns, CMOS, PBGA100, 6 X 6 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, LEAD FR
CYDM256B16-55BVXC CYPRESS

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 		1.8V 4K/8K/16K x 16 and 8K/16K x 8 MoBL Dual-Port Static RAM
CYDM256B16-55BVXC ROCHESTER

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 		16KX16 DUAL-PORT SRAM, 55ns, PBGA100, 6 X 6 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, MO-
CYDM256B16-55BVXI CYPRESS

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