是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | 6 X 6 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, MO-195C, VFBGA-100 | 针数: | 100 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.79 |
最长访问时间: | 55 ns | 其他特性: | ALSO OPERATES AT 2.5V AND 3V SUPPLY |
JESD-30 代码: | S-PBGA-B100 | JESD-609代码: | e1 |
长度: | 6 mm | 内存密度: | 131072 bit |
内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度: | 16 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 100 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 8KX16 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | VFBGA | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 认证状态: | COMMERCIAL |
座面最大高度: | 1 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 1.9 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | TIN SILVER COPPER |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 |
宽度: | 6 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CYDM128B16-55BVXIT | CYPRESS |
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暂无描述 |
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CYDM256A16 | CYPRESS |
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1.8V 4K/8K/16K x 16 and 8K/16K x 8 MoBL㈢ Dual |
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CYDM256A16-35BVXC | CYPRESS |
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1.8V 4K/8K/16K x 16 and 8K/16K x 8 MoBL㈢ Dual |
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CYDM256A16-55BVXC | CYPRESS |
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1.8V 4K/8K/16K x 16 and 8K/16K x 8 MoBL㈢ Dual |
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CYDM256A16-55BVXI | CYPRESS |
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1.8V 4K/8K/16K x 16 and 8K/16K x 8 MoBL㈢ Dual |
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CYDM256B16 | CYPRESS |
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1.8V 4K/8K/16K x 16 MoBL㈢ Dual-Port Static RA |
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CYDM256B16-40BVXC | CYPRESS |
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Dual-Port SRAM, 16KX16, 40ns, CMOS, PBGA100, 6 X 6 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, LEAD FR |
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CYDM256B16-55BVXC | CYPRESS |
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1.8V 4K/8K/16K x 16 and 8K/16K x 8 MoBL Dual-Port Static RAM |
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CYDM256B16-55BVXC | ROCHESTER |
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16KX16 DUAL-PORT SRAM, 55ns, PBGA100, 6 X 6 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, MO- |
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CYDM256B16-55BVXI | CYPRESS |
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1.8V 4K/8K/16K x 16 and 8K/16K x 8 MoBL Dual-Port Static RAM |
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