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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | BGA, BGA209,11X19,40 |
| 针数： | 209 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | 3A991.B.2.A | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.84 | 最长访问时间： | 8.5 ns |
| 其他特性： | FLOW-THROUGH ARCHITECTURE | 最大时钟频率 (fCLK)： | 100 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PBGA-B209 |
| JESD-609代码： | e1 | 长度： | 22 mm |
| 内存密度： | 37748736 bit | 内存集成电路类型： | CACHE SRAM |
| 内存宽度： | 72 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 209 |
| 字数： | 524288 words | 字数代码： | 512000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 512KX72 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | BGA | 封装等效代码： | BGA209,11X19,40 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 2.5/3.3,3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.96 mm | 最大待机电流： | 0.12 A |
| 最小待机电流： | 3.14 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.29 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3.135 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 1 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 |
| 宽度： | 14 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| CY7C1447AV33-133BGC | CYPRESS | 36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Flow-Through SRAM |
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| CY7C1447AV33-133BGI | CYPRESS | 36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Flow-Through SRAM |
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| CY7C1447AV33-133BGXC | CYPRESS | 36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Flow-Through SRAM |
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| CY7C1447AV33-133BGXI | CYPRESS | 36-Mbit (1M x 36/2M x 18/512K x 72) Flow-Through SRAM |
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| CY7C1447V33-117BX | CYPRESS | Standard SRAM, 512KX72, 7.5ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, 2.20 MM HEIGHT, PLASTIC, BGA-209 |
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| CY7C144AV | CYPRESS | 3.3V 4K/8K/16K/32K x 8/9 Dual-Port Static RAM |
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