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CY7C1399L-25ZC

更新时间： 2024-11-23 22:11:11
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS /
页数 文件大小 规格书
8页 237K
描述
32K x 8 3.3V Static RAM

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CY7C1399L-25ZC 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP
包装说明：TSOP1-28针数：28
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.75
最长访问时间：25 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G28JESD-609代码：e0
长度：11.8 mm内存密度：262144 bit
内存集成电路类型：CACHE SRAM内存宽度：8
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：28字数：32768 words
字数代码：32000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：32KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装等效代码：TSSOP28,.53,22封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：240电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大待机电流：0.00002 A最小待机电流：2 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.045 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.55 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：8 mm
Base Number Matches：1

CY7C1399L-25ZC 数据手册

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CY7C1399  
32K x 8 3.3V Static RAM  
is provided by an active LOW Chip Enable (CE) and active  
LOW Output Enable (OE) and three-state drivers. The device  
has an automatic power-down feature, reducing the power  
consumption by more than 95% when deselected.  
Features  
• Single 3.3V power supply  
• Ideal for low-voltage cache memory applications  
• High speed  
An active LOW Write Enable signal (WE) controls the writing/  
reading operation of the memory. When CE and WE inputs  
— 12/15 ns  
are both LOW, data on the eight data input/output pins (I/O  
0
• Low active power  
through I/O ) is written into the memory location addressed by  
7
— 255 mW (max.)  
the address present on the address pins (A through A ).  
0
14  
Reading the device is accomplished by selecting the device  
and enabling the outputs, CE and OE active LOW, while WE  
remains inactive or HIGH. Under these conditions, the con-  
tents of the location addressed by the information on address  
pins is present on the eight data input/output pins.  
• Low CMOS standby power (L)  
180 W (max.), f=f  
—
µ
MAX  
• 2.0V data retention (L)  
40  
W
µ
—
• Low-power alpha immune 6T cell  
• Plastic SOJ and TSOP packaging  
The input/output pins remain in a high-impedance state unless  
the chip is selected, outputs are enabled, and Write Enable  
(WE) is HIGH. The CY7C1399 is available in 28-pin standard  
300-mil-wide SOJ and TSOP Type I packages.  
Functional Description  
The CY7C1399 is a high-performance 3.3V CMOS Static RAM  
organized as 32,768 words by 8 bits. Easy memory expansion  
Logic Block Diagram  
Pin Configurations  
SOJ  
Top View  
A
A
V
CC  
28  
27  
26  
1
2
3
4
5
6
5
6
WE  
A
A
7
A
4
8
25  
24  
A
3
A
9
A
2
A
A
A
23  
22  
10  
11  
A
1
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
7
8
9
10  
11  
12  
13  
OE  
A
0
0
1
2
3
4
5
6
21  
20  
19  
18  
17  
12  
13  
14  
INPUT BUFFER  
A
A
CE  
I/O  
A
0
7
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
I/O  
A
1
0
1
2
6
5
4
A
2
16  
15  
A
3
I/O  
I/O  
A
4
GND  
14  
3
32K x 8  
ARRAY  
A
5
A
6
A
7
A
C1399–2  
8
A
9
CE  
WE  
POWER  
DOWN  
COLUMN  
DECODER  
I/O  
7
OE  
C1399–1  
Selection Guide  
7C1399–12  
7C1399–15  
7C1399–20  
7C1399–25  
7C1399–35  
Maximum Access Time (ns)  
12  
60  
15  
55  
20  
50  
25  
45  
35  
40  
Maximum Operating Current (mA)  
Maximum CMOS Standby Current (µA)  
Maximum CMOS Standby Current (µA)  
500  
50  
500  
50  
500  
50  
500  
50  
500  
50  
L
Cypress Semiconductor Corporation  
•
3901 North First Street  
•
San Jose  
•
CA 95134  
•
408-943-2600  
March 25, 1999  
12345678

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与CY7C1399L-25ZC相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY7C1399L-35VC CYPRESS

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 		32K x 8 3.3V Static RAM
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