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CY7C1399V-25ZC

更新时间: 2024-11-24 20:13:07
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 355K
描述
Cache SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, TSOP1-28

CY7C1399V-25ZC 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP
包装说明:TSOP1-28针数:28
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.92
最长访问时间:25 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G28JESD-609代码:e0
长度:11.8 mm内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:CACHE SRAM内存宽度:8
湿度敏感等级:3功能数量:1
端口数量:1端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP1
封装等效代码:TSSOP28,.53,22封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):240电源:3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大待机电流:0.0002 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.045 mA
最大供电电压 (Vsup):3.3 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.55 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30宽度:8 mm
Base Number Matches:1

CY7C1399V-25ZC 数据手册

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