是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOJ |
包装说明: | 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.6 |
最长访问时间: | 25 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-J28 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 17.907 mm | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | CACHE SRAM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 32768 words | 字数代码: | 32000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 32KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOJ |
封装等效代码: | SOJ28,.34 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 220 | 电源: | 3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 3.556 mm |
最大待机电流: | 0.00002 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.045 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 7.5 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C1399VL-25ZC | CYPRESS |
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Cache SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, TSOP1-28 | |
CY7C1399VL-35VC | CYPRESS |
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Cache SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 | |
CY7C1399VL-35ZC | CYPRESS |
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Cache SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PDSO28, TSOP1-28 | |
CY7C139AV | CYPRESS |
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3.3V 4K/8K/16K/32K x 8/9 Dual-Port Static RAM | |
CY7C139AV-20JC | CYPRESS |
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3.3V 4K/8K/16K/32K x 8/9 Dual-Port Static RAM | |
CY7C139AV-25JC | CYPRESS |
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3.3V 4K/8K/16K/32K x 8/9 Dual-Port Static RAM | |
CY7C139BV18 | CYPRESS |
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RAM9 QDR-I/DDR-I/QDR-II/DDR- II Errata | |
CY7C139CV18 | CYPRESS |
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RAM9 QDR-I/DDR-I/QDR-II/DDR- II Errata | |
CY7C139V-15JCR | CYPRESS |
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Multi-Port SRAM, 4KX9, 15ns, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68 | |
CY7C139V-15JCT | CYPRESS |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 4KX9, 15ns, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68 |