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CY7C1332-8JCR

更新时间: 2024-11-28 14:48:43
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 369K
描述
Cache SRAM, 64KX18, 8.5ns, CMOS, PQCC52, PLASTIC, LCC-52

CY7C1332-8JCR 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:LCC
包装说明:QCCJ,针数:52
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.8
最长访问时间:8.5 ns其他特性:TWO BIT WRAPAROUND COUNTER
JESD-30 代码:S-PQCC-J52JESD-609代码:e0
长度:19.1262 mm内存密度:1179648 bit
内存集成电路类型:CACHE SRAM内存宽度:18
功能数量:1端口数量:1
端子数量:52字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:64KX18输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:QCCJ封装形状:SQUARE
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified座面最大高度:5.08 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN LEAD端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
宽度:19.1262 mmBase Number Matches:1

CY7C1332-8JCR 数据手册

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