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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | LCC |
| 包装说明： | QCCJ, | 针数： | 52 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.91 |
| 最长访问时间： | 8.5 ns | 其他特性： | TWO BIT WRAPAROUND COUNTER |
| JESD-30 代码： | S-PQCC-J52 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 19.1262 mm | 内存密度： | 1179648 bit |
| 内存集成电路类型： | CACHE SRAM | 内存宽度： | 18 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 52 |
| 字数： | 65536 words | 字数代码： | 64000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 64KX18 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | QCCJ |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 宽度： | 19.1262 mm |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CY7C1332-8NC | ETC |
获取价格 |
x18 Fast Synchronous SRAM |
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| CY7C1332AV25 | CYPRESS |
获取价格 |
18-Mbit (512K x 36/1Mbit x 18) Pipelined Register-Register Late Write |
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| CY7C1332AV25-200BGC | CYPRESS |
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18-Mbit (512K x 36/1Mbit x 18) Pipelined Register-Register Late Write |
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| CY7C1332AV25-200BGXC | CYPRESS |
获取价格 |
18-Mbit (512K x 36/1Mbit x 18) Pipelined Register-Register Late Write |
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| CY7C1332AV25-250BGC | CYPRESS |
获取价格 |
18-Mbit (512K x 36/1Mbit x 18) Pipelined Register-Register Late Write |
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| CY7C1332AV25-250BGXC | CYPRESS |
获取价格 |
18-Mbit (512K x 36/1Mbit x 18) Pipelined Register-Register Late Write |
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| CY7C1333 | CYPRESS |
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64Kx32 Flow-Thru SRAM with NoBL⑩ Architecture |
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| CY7C1333-50AC | CYPRESS |
获取价格 |
64Kx32 Flow-Thru SRAM with NoBL⑩ Architecture |
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| CY7C133-35JC | CYPRESS |
获取价格 |
2K x 16 Dual-Port Static RAM |
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| CY7C133-35JCT | CYPRESS |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 2KX16, 35ns, CMOS, PQCC68, PLASTIC, LCC-68 |
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