是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOJ | 包装说明: | 0.400 INCH, LEAD FREE, SOJ-36 |
针数: | 36 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.14 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 12 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-J36 | JESD-609代码: | e4 |
长度: | 23.495 mm | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 36 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 512KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOJ |
封装等效代码: | SOJ36,.44 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 3.683 mm | 最大待机电流: | 0.008 A |
最小待机电流: | 3 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.2 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 宽度: | 10.16 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C1049BNV33-12VXI | CYPRESS |
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512K x 8 Static RAM | |
CY7C1049BNV33-12VXIT | CYPRESS |
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Standard SRAM, 512KX8, 12ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, LEAD FREE, SOJ-36 | |
CY7C1049BNV33-12ZC | CYPRESS |
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512K x 8 Static RAM | |
CY7C1049BNV33-15VC | CYPRESS |
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512K x 8 Static RAM | |
CY7C1049BNV33-15VI | CYPRESS |
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512K x 8 Static RAM | |
CY7C1049BNV33-15VXC | CYPRESS |
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512K x 8 Static RAM | |
CY7C1049BNV33-15VXI | CYPRESS |
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512K x 8 Static RAM | |
CY7C1049BNV33-15ZC | CYPRESS |
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512K x 8 Static RAM | |
CY7C1049BNV33-15ZI | CYPRESS |
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512K x 8 Static RAM | |
CY7C1049BNV33-15ZIT | CYPRESS |
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Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 |