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CY7C1049BV33-12VI PDF预览

CY7C1049BV33-12VI

更新时间： 2024-11-07 05:19:03
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 167K
描述
512K x 8 Static RAM

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CY7C1049BV33-12VI 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOJ包装说明：0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36
针数：36Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.11Is Samacsys：N
最长访问时间：12 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-J36JESD-609代码：e0
长度：23.495 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：36
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：512KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOJ封装等效代码：SOJ36,.44
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：225
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：3.683 mm最大待机电流：0.008 A
最小待机电流：3 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.22 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

CY7C1049BV33-12VI 数据手册

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049BV33  
CY7C1049BV33  
512K x 8 Static RAM  
expansion is provided by an active LOW Chip Enable (CE), an  
active LOW Output Enable (OE), and three-state drivers. Writ-  
ing to the device is accomplished by taking Chip Enable (CE)  
and Write Enable (WE) inputs LOW. Data on the eight I/O pins  
(I/O0 through I/O7) is then written into the location specified on  
the address pins (A0 through A18).  
Features  
• High speed  
— tAA = 15 ns  
• Low active power  
— 504 mW (max.)  
Reading from the device is accomplished by taking Chip  
Enable (CE) and Output Enable (OE) LOW while forcing Write  
Enable (WE) HIGH. Under these conditions, the contents of  
the memory location specified by the address pins will appear  
on the I/O pins.  
• Low CMOS standby power (Commercial L version)  
— 1.8 mW (max.)  
• 2.0V Data Retention (660 µW at 2.0V retention)  
• Automatic power-down when deselected  
• TTL-compatible inputs and outputs  
• Easy memory expansion with CE and OE features  
The eight input/output pins (I/O0 through I/O7) are placed in a  
high-impedance state when the device is deselected (CE  
HIGH), the outputs are disabled (OE HIGH), or during a write  
operation (CE LOW, and WE LOW).  
Functional Description[1]  
The CY7C1049BV33 is available in a standard 400-mil-wide  
36-pin SOJ and 44-pin TSOPII packages with center power  
and ground (revolutionary) pinout.  
The CY7C1049BV33 is a high-performance CMOS Static  
RAM organized as 524,288 words by 8 bits. Easy memory  
Logic Block Diagram  
Pin Configuration  
SOJ  
TSOP II  
Top View  
Top View  
A
A
36  
35  
34  
33  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
44  
NC  
NC  
NC  
1
0
1
NC  
NC  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
2
3
4
5
6
A
A
A
A
18  
17  
16  
15  
NC  
A
0
A
2
A
A18  
1
A
A
3
4
A
17  
A
2
32  
I/O0  
A
16  
A
3
INPUT BUFFER  
CE  
31  
30  
29  
28  
OE  
I/O  
A
15  
A
7
4
A0  
A1  
A2  
A3  
A4  
37  
36  
35  
34  
33  
I/O1  
I/O  
CE  
OE  
I/O  
8
0
1
7
I/O  
9
0
I/O  
I/O  
V
7
6
I/O2  
10  
11  
12  
I/O  
V
SS  
I/O  
1
CC  
6
GND  
CC  
V
SS  
27  
26  
25  
GND  
I/O  
I/O3  
10  
11  
12  
13  
A5  
V
I/O3  
I/O4  
I/O5  
CC  
V
V
512K x 8  
ARRAY  
CC  
A6  
I/O  
32  
I/O  
I/O  
2
5
13  
14  
2
5
4
A7  
A8  
A9  
I/O  
I/O  
A
31  
30  
29  
28  
I/O  
4
3
WE 15  
WE  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
14  
A
14  
A10  
A
A
A
16  
17  
18  
19  
20  
A
13  
12  
11  
5
A
A
A
A
A
14  
15  
16  
17  
18  
13  
5
A
6
A
A
12  
6
27  
26  
25  
I/O6  
I/O7  
7
POWER  
DOWN  
COLUMN  
DECODER  
A
A
CE  
A
7
11  
10  
8
9
A
NC  
NC  
NC  
A
8
10  
WE  
NC 21  
24  
23  
A
NC  
9
22  
NC  
OE  
Selection Guide  
-12  
-15  
-17  
17  
-20  
-25  
Maximum Access Time (ns)  
12  
15  
180  
200  
8
20  
25  
150  
170  
8
Maximum Operating Current (mA) Comm’l  
Ind’l  
200  
220  
8
170  
180  
8
160  
170  
8
Maximum CMOS Standby  
Current (mA)  
Com’l/Ind’l  
Com’l  
L
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
Note:  
1. For guidelines on SRAM system design, please refer to the ‘System Design Guidelines’ Cypress application note, available on the internet at www.cypress.com.  
Cypress Semiconductor Corporation  
•
3901 North First Street  
•
San Jose  
•
CA 95134  
•
408-943-2600  
Document #: 38-05139 Rev. *A  
Revised September 13, 2002  
1234567...10

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CY7C1049BV33-12VI 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CY7C1049BV33-12VC CYPRESS

完全替代

 512K x 8 Static RAM
AS7C34096A-12JIN ALSC

功能相似

 3.3V 512K x 8 CMOS SRAM
AS7C34096A-12JCN ALSC

功能相似

 3.3V 512K x 8 CMOS SRAM

与CY7C1049BV33-12VI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY7C1049BV33-12VIT CYPRESS

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 		暂无描述
CY7C1049BV33-12ZC CYPRESS

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 		512K x 8 Static RAM
CY7C1049BV33-15VC CYPRESS

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 		512K x 8 Static RAM
CY7C1049BV33-15VCT CYPRESS

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 		Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36
CY7C1049BV33-15VI CYPRESS

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 		512K x 8 Static RAM
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CY7C1049BV33-17VC CYPRESS

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