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CY7C1020-12VC

更新时间: 2024-02-10 14:33:04
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赛普拉斯 - CYPRESS /
页数 文件大小 规格书
9页 178K
描述
32K x 16 Static RAM

CY7C1020-12VC 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2,针数:44
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.B
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.7
最长访问时间:12 ns其他特性:AUTOMATIC POWER-DOWN
JESD-30 代码:R-PDSO-G44长度:18.41 mm
内存密度:524288 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:44
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32KX16
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mm

CY7C1020-12VC 数据手册

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CY7C1020  
Switching Waveforms (continued)  
[11, 12]  
Write Cycle No. 1 (CE Controlled)  
t
WC  
ADDRESS  
t
SA  
t
SCE  
CE  
t
AW  
t
HA  
t
PWE  
WE  
t
BW  
BHE, BLE  
t
t
SD  
HD  
DATAI/O  
1020-7  
Write Cycle No. 2 (BLEor BHE Controlled)  
t
WC  
ADDRESS  
t
SA  
t
BW  
BHE, BLE  
t
AW  
t
HA  
t
PWE  
WE  
CE  
t
SCE  
t
t
HD  
SD  
DATAI/O  
1020-8  
Notes:  
11. Data I/O is high impedance if OE or BHE and/or BLE= VIH  
.
12. If CEgoes HIGH simultaneously with WE going HIGH, the output remains in a high-impedance state.  
6

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