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CY7C1019BV33-10VCT

更新时间： 2024-01-08 04:37:58

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赛普拉斯 - CYPRESS		/
页数	文件大小	规格书
7页	241K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32

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CY7C1019BV33-10VCT 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2,	针数：	32
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.B
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.19
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	10 ns
JESD-30 代码：	R-PDSO-G32	JESD-609代码：	e0
长度：	20.95 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	128KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	235	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.63 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.97 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

CY7C1019BV33-10VCT 数据手册

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CY7C1019BV33

Data Retention Characteristics Over the Operating Range (L Version Only)

Parameter Description Conditions

for Data Retention No input may exceed V + 0.5V

Min.

Max.

Unit

2.0

= V = 2.0V,

Data Retention Current

150

µA

CCDR

CE > V – 0.3V,

[3]

Chip Deselect to Data Retention Time

Operation Recovery Time

> V – 0.3V or V < 0.3V

CDR

CC IN

200

µs

Data Retention Waveform

DATA RETENTION MODE

> 2V

3.0V

CDR

1019BV33–5

Switching Waveforms

[9, 10]

Read Cycle No. 1

ADDRESS

OHA

DATA OUT

PREVIOUS DATA VALID

DATA VALID

1019BV33–6

[10, 11]

Read Cycle No. 2 (OE Controlled)

ADDRESS

ACE

HZOE

DOE

HZCE

LZOE

HIGH

IMPEDANCE

HIGH IMPEDANCE

DATA OUT

DATA VALID

LZCE

ICC

50%

SUPPLY

CURRENT

ISB

1019BV33–7

Notes:

9. Device is continuously selected. OE, CE = V_IL.

10. WE is HIGH for read cycle.

11. Address valid prior to or coincident with CEtransition LOW.

1 2 345 6 7

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