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CY7C1019BV33-10VCT

更新时间： 2024-02-25 06:15:02
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS /
页数 文件大小 规格书
7页 241K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32

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CY7C1019BV33-10VCT 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP2
包装说明：TSOP2,针数：32
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.B
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.19
Is Samacsys：N最长访问时间：10 ns
JESD-30 代码：R-PDSO-G32JESD-609代码：e0
长度：20.95 mm内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：32字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：128KX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：235认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：3.63 V
最小供电电压 (Vsup)：2.97 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

CY7C1019BV33-10VCT 数据手册

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CY7C1019BV33  
Current into Outputs (LOW)......................................... 20 mA  
Maximum Ratings  
Static Discharge Voltage ........................................... >2001V  
(per MIL-STD-883, Method 3015)  
(Above which the useful life may be impaired. For user guide-  
lines, not tested.)  
Latch-Up Current..................................................... >200 mA  
Storage Temperature ................................. –65°C to +150°C  
Ambient Temperature with  
Power Applied............................................. –55°C to +125°C  
Operating Range  
Ambient  
Temperature  
[1]  
Supply Voltage on V to Relative GND .... –0.5V to +7.0V  
[2]  
CC  
Range  
V
CC  
DC Voltage Applied to Outputs  
in High Z State ....................................–0.5V to V + 0.5V  
Commercial  
0°C to +70°C  
3.3V ± 10%  
[1]  
CC  
[1]  
DC Input Voltage .................................–0.5V to V + 0.5V  
CC  
Electrical Characteristics Over the Operating Range  
7C1019BV33  
-10  
7C1019BV33  
-12  
7C1019BV33  
-15  
Parameter  
Description  
Test Conditions  
Min.  
Max.  
Min.  
Max.  
Min.  
Max.  
Unit  
V
Output HIGH Voltage  
V
= Min.,  
CC  
= – 4.0 mA  
2.4  
2.4  
2.4  
V
OH  
OL  
IH  
I
OH  
V
V
V
Output LOW Voltage  
Input HIGH Voltage  
V
= Min.,  
0.4  
0.4  
0.4  
V
V
CC  
I
= 8.0 mA  
OL  
2.2  
V
2.2  
V
2.2  
V
CC  
CC  
CC  
+ 0.3  
0.8  
+1  
+ 0.3  
0.8  
+1  
+ 0.3  
0.8  
+1  
[1]  
Input LOW Voltage  
–0.3  
–1  
–0.3  
–1  
–0.3  
–1  
V
IL  
I
I
Input Load Current  
GND < V < V  
CC  
µA  
µA  
IX  
I
Output Leakage  
Current  
GND < V < V ,  
CC  
Output Disabled  
–5  
+5  
–5  
+5  
–5  
+5  
OZ  
I
I
I
I
V
Operating  
V
= Max.,  
= 0 mA,  
175  
20  
160  
20  
145  
20  
mA  
mA  
mA  
CC  
CC  
CC  
Supply Current  
I
OUT  
f = f  
= 1/t  
MAX  
RC  
Automatic CE  
Power-Down Current  
—TTL Inputs  
Max. V , CE > V  
CC IH  
V
V
SB1  
SB2  
> V or  
IN  
IN  
IH  
< V , f = f  
IL  
MAX  
Automatic CE  
Max. V  
,
5
5
5
CC  
Power-Down Current CE > V – 0.3V,  
CC  
L
−
0.5  
0.5  
—CMOS Inputs  
V
> V – 0.3V,  
IN CC  
or V < 0.3V, f = 0  
IN  
Capacitance[3]  
Parameter  
Description  
Test Conditions  
T = 25°C, f = 1 MHz,  
Max.  
Unit  
C
C
Input Capacitance  
Output Capacitance  
6
8
pF  
pF  
IN  
A
V
= 5.0V  
CC  
OUT  
Notes:  
1.  
V
IL (min.) = –2.0V for pulse durations of less than 20 ns.  
2. TA is the “Instant On” case temperature.  
3. Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters.  
2
1234567

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