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CY7C1019B-15ZXCT

更新时间： 2024-02-28 18:49:09

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	319K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, PDSO32, LEAD FREE, TSOP2-32

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CY7C1019B-15ZXCT 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	LEAD FREE, TSOP2-32	针数：	32
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.B
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.34
最长访问时间：	15 ns	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
JESD-609代码：	e3	长度：	20.95 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	128KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	TIN	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

CY7C1019B-15ZXCT 数据手册

CY7C1019B

Switching Characteristics^[4]Over the Operating Range

-12

-15

Parameter

Description

Min.

Max.

Min.

Max.

Unit

Read Cycle

t_RC

Read Cycle Time

t_AA

Address to Data Valid

t_OHA

Data Hold from Address Change

t_ACE

LOW to Data Valid

LOW to Low Z

HIGH to High Z^{[5, 6]}

LOW to Low Z^[6]

HIGH to High Z^{[5, 6]}

LOW to Power-Up

HIGH to Power-Down

t_DOE

t_LZOE

t_HZOE

t_LZCE

t_HZCE

t_PU

t_PD

Write Cycle^{[7, 8]}

t_WC

Write Cycle Time

LOW to Write End

t_SCE

t_AW

Address Set-Up to Write End

Address Hold from Write End

Address Set-Up to Write Start

t_HA

t_SA

t_PWE

t_SD

Pulse Width

Data Set-Up to Write End

t_HD

Data Hold from Write End

HIGH to Low Z^[6]

t_LZWE

t_HZWE

LOW to High Z^{[5, 6]}

Notes:

4. Test conditions assume signal transition time of 3 ns or less, timing reference levels of 1.5V, input pulse levels of 0 to 3.0V, and output loading of the specified

/I and 30-pF load capacitance.

OL OH

5. t

, t

, and t

are specified with a load capacitance of 5 pF as in part (b) of AC Test Loads. Transition is measured ±500 mV from steady-state voltage.

HZOE HZCE

HZWE

6. At any given temperature and voltage condition, t

is less than t

, t

is less than t

, and t

is less than t

for any given device.

HZCE

LZCE HZOE

LZOE

HZWE

LZWE

7. The internal write time of the memory is defined by the overlap of CE LOW and WE LOW. CE and WE must be LOW to initiate a write, and the transition of any

of these signals can terminate the write. The input data set-up and hold timing should be referenced to the leading edge of the signal that terminates the write.

8. The minimum write cycle time for Write Cycle no. 3 (WE controlled, OE LOW) is the sum of t

and t

HZWE

Document #: 38-05026 Rev. *C

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