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CY7C1007BN-15VXC PDF预览

CY7C1007BN-15VXC

更新时间： 2024-09-17 03:08:27
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS /
页数 文件大小 规格书
7页 309K
描述
1M x 1 Static RAM

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CY7C1007BN-15VXC 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOJ包装说明：0.300 INCH, LEAD FREE, MO-088, SOJ-28
针数：28Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.2.BHTS代码：8542.32.00.41
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.76
最长访问时间：15 nsI/O 类型：SEPARATE
JESD-30 代码：R-PDSO-J28JESD-609代码：e4
长度：17.907 mm内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：1
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：28字数：1048576 words
字数代码：1000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：1MX1输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOJ
封装等效代码：SOJ28,.34封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：3.556 mm
最大待机电流：0.002 A子类别：SRAMs
最大压摆率：0.08 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
宽度：7.5057 mmBase Number Matches：1

CY7C1007BN-15VXC 数据手册

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CY7C107BN  
CY7C1007BN  
1M x 1 Static RAM  
Features  
Functional Description  
The CY7C107BN and CY7C1007BN are high-performance  
CMOS static RAMs organized as 1,048,576 words by 1 bit.  
Easy memory expansion is provided by an active LOW Chip  
Enable (CE) and three-state drivers. These devices have an  
automatic power-down feature that reduces power  
consumption by more than 65% when deselected.  
• High speed  
— tAA = 15 ns  
• CMOS for optimum speed/power  
• Automatic power-down when deselected  
• TTL-compatible inputs and outputs  
Writing to the devices is accomplished by taking Chip Enable  
(CE) and Write Enable (WE) inputs LOW. Data on the input pin  
(DIN) is written into the memory location specified on the  
address pins (A0 through A19).  
Reading from the devices is accomplished by taking Chip  
Enable (CE) LOW while Write Enable (WE) remains HIGH.  
Under these conditions, the contents of the memory location  
specified by the address pins will appear on the data output  
(DOUT) pin.  
The output pin (DOUT) is placed in a high-impedance state  
when the device is deselected (CE HIGH) or during a write  
operation (CE and WE LOW).  
The CY7C107BN is available in a standard 400-mil-wide SOJ;  
the CY7C1007BN is available in a standard 300-mil-wide SOJ  
Logic Block Diagram  
Pin Configuration  
SOJ  
Top View  
D
IN  
28  
27  
26  
1
2
3
4
5
6
A
11  
V
CC  
10  
A
A
9
A
13  
A
12  
8
A
25  
24  
A
7
INPUT BUFFER  
A0  
A1  
A2  
A3  
A
14  
A
6
23  
22  
A
15  
A
5
7
8
9
10  
11  
12  
13  
NC  
A
4
21  
20  
19  
18  
17  
A
17  
NC  
16  
A
A
3
A4  
A5  
A6  
A7  
A8  
A
19  
A
18  
2
512 x 2048  
ARRAY  
A
A
1
D
OUT  
A
D
0
OUT  
WE  
GND  
16  
15  
D
IN  
14  
CE  
POWER  
DOWN  
COLUMN  
CE  
DECODER  
WE  
Selection Guide  
7C107BN-15  
7C1007BN-15  
Maximum Access Time (ns)  
15  
80  
2
Maximum Operating Current (mA)  
Maximum CMOS Standby Current ISB2 (mA)  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document #: 001-06426 Rev. **  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised February 1, 2006  
[+] Feedback  
1234567

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CY7C1007BN-15VXC 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CY7C1007D-10VXI CYPRESS

完全替代

 1-Mbit (1M x 1) Static RAM

与CY7C1007BN-15VXC相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY7C1007BN-15VXCT CYPRESS

获取价格

 		Standard SRAM, 1MX1, 15ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, LEAD FREE, MO-088, SOJ-28
CY7C1007D CYPRESS

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 		1-Mbit (1M x 1) Static RAM
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 		Standard SRAM, 1MX1, 12ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28
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 		Standard SRAM, 1MX1, 12ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28
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