是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.B |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.86 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 20 ns |
其他特性: | AUTOMATIC POWER-DOWN | JESD-30 代码: | R-PDIP-T28 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 35.4965 mm |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 1 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 1048576 words | 字数代码: | 1000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 1MX1 | |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | NO |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 4.826 mm |
最小待机电流: | 2 V | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 7.62 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C1007L-25DMB | CYPRESS |
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Standard SRAM, 1MX1, 25ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28 | |
CY7C1007L-25VC | CYPRESS |
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Standard SRAM, 1MX1, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 | |
CY7C1007L-25VCT | CYPRESS |
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Standard SRAM, 1MX1, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 | |
CY7C1009 | CYPRESS |
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128K x 8 Static RAM | |
CY7C1009-10VC | CYPRESS |
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128K x 8 Static RAM | |
CY7C1009-12VC | CYPRESS |
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128K x 8 Static RAM | |
CY7C1009-15DC | CYPRESS |
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Standard SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, CDIP32, 0.300 INCH, CERDIP-32 | |
CY7C1009-15DMB | CYPRESS |
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Standard SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, CDIP32, 0.300 INCH, CERDIP-32 | |
CY7C1009-15LMB | CYPRESS |
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Standard SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, CQCC32, LCC-32 | |
CY7C1009-15PC | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, PDIP32, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-32 |