Datasheet > CY7C1009-20LMB

CY7C1009-20LMB

更新时间： 2024-09-17 20:24:39

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	612K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, CQCC32, LCC-32

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

CY7C1009-20LMB 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFJ	包装说明：	LCC-32
针数：	32	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A001.A.2.C	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.23	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	20 ns	其他特性：	AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-CQCC-N32
JESD-609代码：	e0	长度：	13.97 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	128KX8
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	QCCN
封装等效代码：	LCC32,.45X.55	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度：	2.286 mm	最大待机电流：	0.002 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.17 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	11.43 mm	Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
5962-8959821MMA	CYPRESS	完全替代	Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CY7C1009-20PC	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDIP32, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-32
CY7C1009-20VC	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO32, 0.300 INCH, SOJ-32
CY7C1009-20VCT	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO32, 0.300 INCH, SOJ-32
CY7C1009-25DMB	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 25ns, CMOS, CDIP32, 0.300 INCH, CERDIP-32
CY7C1009-25LMB	ETC	获取价格	x8 SRAM
CY7C1009-25PC	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 25ns, CMOS, PDIP32, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-32
CY7C1009-25VC	CYPRESS	获取价格	128K x 8 Static RAM
CY7C1009-35VC	CYPRESS	获取价格	128K x 8 Static RAM
CY7C1009B	CYPRESS	获取价格	128K x 8 Static RAM
CY7C1009B-12VC	CYPRESS	获取价格	128K x 8 Static RAM