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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, | 针数： | 28 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.86 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 25 ns |
| 其他特性： | AUTOMATIC POWER-DOWN | JESD-30 代码： | R-GDIP-T28 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 37.0205 mm |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 1048576 words | 字数代码： | 1000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 1MX1 |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | NO |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | DIP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 5.08 mm |
| 最小待机电流： | 2 V | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 7.62 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CY7C1007L-25VC | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 1MX1, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 |
|
| CY7C1007L-25VCT | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 1MX1, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 |
|
| CY7C1009 | CYPRESS |
获取价格 |
128K x 8 Static RAM |
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| CY7C1009-10VC | CYPRESS |
获取价格 |
128K x 8 Static RAM |
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| CY7C1009-12VC | CYPRESS |
获取价格 |
128K x 8 Static RAM |
|
| CY7C1009-15DC | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, CDIP32, 0.300 INCH, CERDIP-32 |
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| CY7C1009-15DMB | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, CDIP32, 0.300 INCH, CERDIP-32 |
|
| CY7C1009-15LMB | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, CQCC32, LCC-32 |
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| CY7C1009-15PC | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 15ns, CMOS, PDIP32, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-32 |
|
| CY7C1009-15VC | CYPRESS |
获取价格 |
128K x 8 Static RAM |
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