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CY7C1007B-15VC

更新时间： 2024-09-16 22:06:47
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS /
页数 文件大小 规格书
9页 147K
描述
1M x 1 Static RAM

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CY7C1007B-15VC 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOJ包装说明：0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28
针数：28Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：3A991.B.2.BHTS代码：8542.32.00.41
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.81
最长访问时间：15 nsI/O 类型：SEPARATE
JESD-30 代码：R-PDSO-J28JESD-609代码：e0
长度：17.907 mm内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：1
湿度敏感等级：1功能数量：1
端子数量：28字数：1048576 words
字数代码：1000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：1MX1输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOJ
封装等效代码：SOJ28,.34封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：220电源：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：3.556 mm
最大待机电流：0.002 A最小待机电流：4.5 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：7.5 mm

CY7C1007B-15VC 数据手册

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07B  
CY7C107B  
CY7C1007B  
1M x 1 Static RAM  
Writing to the devices is accomplished by taking Chip Enable  
(CE) and Write Enable (WE) inputs LOW. Data on the input pin  
(DIN) is written into the memory location specified on the ad-  
dress pins (A0 through A19).  
Features  
• High speed  
— tAA = 12 ns  
Reading from the devices is accomplished by taking Chip En-  
able (CE) LOW while Write Enable (WE) remains HIGH. Under  
these conditions, the contents of the memory location speci-  
• CMOS for optimum speed/power  
• Automatic power-down when deselected  
• TTL-compatible inputs and outputs  
fied by the address pins will appear on the data output (DOUT  
)
pin.  
Functional Description  
The output pin (DOUT) is placed in a high-impedance state  
when the device is deselected (CE HIGH) or during a write  
operation (CE and WE LOW).  
The CY7C107B and CY7C1007B are high-performance  
CMOS static RAMs organized as 1,048,576 words by 1 bit.  
Easy memory expansion is provided by an active LOW Chip  
Enable (CE) and three-state drivers. These devices have an  
automatic power-down feature that reduces power consump-  
tion by more than 65% when deselected.  
The CY7C107B is available in a standard 400-mil-wide SOJ;  
the CY7C1007B is available in a standard 300-mil-wide SOJ.  
Logic Block Diagram  
Pin Configuration  
SOJ  
Top View  
D
IN  
28  
27  
26  
1
2
3
4
5
6
A
A
A
A
A
A
V
CC  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
A
9
A
8
25  
24  
A
7
INPUT BUFFER  
A
6
A
A0  
23  
22  
5
A1  
A2  
A3  
A4  
A5  
A6  
A7  
A8  
7
8
9
10  
11  
12  
13  
NC  
A
4
21  
20  
19  
18  
17  
A
17  
NC  
16  
A
A
3
A
19  
A
2
18  
512x2048  
ARRAY  
A
A
1
D
OUT  
A
0
D
OUT  
WE  
GND  
16  
15  
D
IN  
14  
CE  
107B-2  
POWER  
DOWN  
COLUMN  
DECODER  
CE  
WE  
107B-1  
Selection Guide  
7C107B-12  
7C1007B-12  
7C107B-15  
7C1007B-15  
7C107B-20  
7C1007B-20  
7C107B-25  
7C1007B-25  
7C107B-35  
7C1007B-35  
Maximum Access Time (ns)  
12  
90  
15  
80  
20  
75  
25  
70  
35  
60  
Maximum Operating  
Current (mA)  
Maximum CMOS Standby  
Current SB2 (mA)  
2
2
2
2
2
Cypress Semiconductor Corporation  
•
3901 North First Street  
•
San Jose  
•
CA 95134  
•
408-943-2600  
Document #: 38-05030 Rev. **  
Revised September 7, 2001  
1234567...9

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与CY7C1007B-15VC相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY7C1007B-15VI CYPRESS

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 		1M x 1 Static RAM
CY7C1007B-20VC CYPRESS

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 		1M x 1 Static RAM
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 		1M x 1 Static RAM
CY7C1007B-25VCT CYPRESS

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 		Standard SRAM, 1MX1, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28
CY7C1007BN-15VC CYPRESS

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