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CY7C1001-20DMB

更新时间： 2024-09-17 00:00:55

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		存储内存集成电路静态存储器
页数	文件大小	规格书
10页	438K
描述
256K x 4 Static RAM with Separate I/O

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CY7C1001-20DMB 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	0.300 INCH, CERDIP-32	针数：	32
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.92
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	20 ns
其他特性：	AUTOMATIC POWER-DOWN; TRANSPARENT WRITE	I/O 类型：	SEPARATE
JESD-30 代码：	R-GDIP-T32	JESD-609代码：	e0
长度：	42.2275 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	4
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	32	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	256KX4	输出特性：	3-STATE
可输出：	NO	封装主体材料：	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP32,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B	座面最大高度：	5.08 mm
最大待机电流：	0.00007 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.15 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CY7C1001-20PC	CYPRESS	获取价格	256K x 4 Static RAM with Separate I/O
CY7C1001-20VC	CYPRESS	获取价格	256K x 4 Static RAM with Separate I/O
CY7C1001-25	CYPRESS	获取价格	256K x 4 Static RAM with Separate I/O
CY7C1001-25DC	CYPRESS	获取价格	256K x 4 Static RAM with Separate I/O
CY7C1001-25DMB	CYPRESS	获取价格	256K x 4 Static RAM with Separate I/O
CY7C1001-25PC	ETC	获取价格	x4 SRAM
CY7C1001-25VC	CYPRESS	获取价格	256K x 4 Static RAM with Separate I/O
CY7C1001L-12PC	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 256KX4, 12ns, CMOS, PDIP32, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-32
CY7C1001L-15DMB	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 256KX4, 15ns, CMOS, CDIP32, 0.300 INCH, CERDIP-32
CY7C1001L-20DMB	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 256KX4, 20ns, CMOS, CDIP32, 0.300 INCH, CERDIP-32