是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | 0.300 INCH, CERDIP-32 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.87 |
最长访问时间: | 15 ns | 其他特性: | AUTOMATIC POWER-DOWN |
I/O 类型: | SEPARATE | JESD-30 代码: | R-GDIP-T32 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 42.2275 mm |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 4 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 262144 words | 字数代码: | 256000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 256KX4 |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | NO |
封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP32,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B |
座面最大高度: | 5.08 mm | 最大待机电流: | 0.00007 A |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.165 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 7.62 mm |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C1002-15PC | CYPRESS |
获取价格 |
256K x 4 Static RAM with Separate I/O | |
CY7C1002-15VC | CYPRESS |
获取价格 |
256K x 4 Static RAM with Separate I/O | |
CY7C1002-20 | CYPRESS |
获取价格 |
256K x 4 Static RAM with Separate I/O | |
CY7C1002-20DC | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM | |
CY7C1002-20DMB | CYPRESS |
获取价格 |
256K x 4 Static RAM with Separate I/O | |
CY7C1002-20PC | CYPRESS |
获取价格 |
256K x 4 Static RAM with Separate I/O | |
CY7C1002-20VC | CYPRESS |
获取价格 |
256K x 4 Static RAM with Separate I/O | |
CY7C1002-25 | CYPRESS |
获取价格 |
256K x 4 Static RAM with Separate I/O | |
CY7C1002-25DC | CYPRESS |
获取价格 |
256K x 4 Static RAM with Separate I/O | |
CY7C1002-25DMB | CYPRESS |
获取价格 |
256K x 4 Static RAM with Separate I/O |