是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOJ | 包装说明: | 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.B | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 8.73 | 最长访问时间: | 15 ns |
其他特性: | AUTOMATIC POWER-DOWN | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-J28 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 17.907 mm | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 4 |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 262144 words | 字数代码: | 256000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 256KX4 | |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOJ |
封装等效代码: | SOJ28,.34 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 220 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 3.556 mm |
最大待机电流: | 0.01 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.155 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 7.5 mm |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY7C1006-15VCR | CYPRESS |
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Standard SRAM, 256KX4, 15ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 | |
CY7C1006-20DC | ETC |
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x4 SRAM | |
CY7C1006-20DMB | ETC |
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x4 SRAM | |
CY7C1006-20PC | ETC |
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x4 SRAM | |
CY7C1006-20VCR | CYPRESS |
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Standard SRAM, 256KX4, 20ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 | |
CY7C1006-25DMB | ETC |
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x4 SRAM | |
CY7C1006-25PC | ETC |
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x4 SRAM | |
CY7C1006B | CYPRESS |
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256K x 4 Static RAM | |
CY7C1006B-12VC | CYPRESS |
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256K x 4 Static RAM | |
CY7C1006B-12VCT | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX4, 12ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOJ-28 |