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CY7C1002-20VC

更新时间: 2024-09-17 00:00:55
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赛普拉斯 - CYPRESS /
页数 文件大小 规格书
10页 438K
描述
256K x 4 Static RAM with Separate I/O

CY7C1002-20VC 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOJ
包装说明:0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-32针数:32
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A991.B.2.B
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.92
最长访问时间:20 ns其他特性:AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-PDSO-J32
JESD-609代码:e0长度:20.828 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4湿度敏感等级:1
功能数量:1端口数量:1
端子数量:32字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:256KX4输出特性:3-STATE
可输出:NO封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装等效代码:SOJ32,.34
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):225
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.7592 mm最大待机电流:0.00005 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.14 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:7.5819 mmBase Number Matches:1

CY7C1002-20VC 数据手册

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