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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-32 | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.B |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 15 ns | 其他特性： | AUTOMATIC POWER-DOWN |
| I/O 类型： | SEPARATE | JESD-30 代码： | R-PDIP-T32 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 39.9415 mm |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 4 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 256KX4 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | NO |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP32,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 4.572 mm |
| 最大待机电流： | 0.00005 A | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.155 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CY7C1002-15VC | CYPRESS |
获取价格 |
256K x 4 Static RAM with Separate I/O |
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| CY7C1002-20 | CYPRESS |
获取价格 |
256K x 4 Static RAM with Separate I/O |
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| CY7C1002-20DC | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
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| CY7C1002-20DMB | CYPRESS |
获取价格 |
256K x 4 Static RAM with Separate I/O |
|
| CY7C1002-20PC | CYPRESS |
获取价格 |
256K x 4 Static RAM with Separate I/O |
|
| CY7C1002-20VC | CYPRESS |
获取价格 |
256K x 4 Static RAM with Separate I/O |
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| CY7C1002-25 | CYPRESS |
获取价格 |
256K x 4 Static RAM with Separate I/O |
|
| CY7C1002-25DC | CYPRESS |
获取价格 |
256K x 4 Static RAM with Separate I/O |
|
| CY7C1002-25DMB | CYPRESS |
获取价格 |
256K x 4 Static RAM with Separate I/O |
|
| CY7C1002-25PC | ETC |
获取价格 |
x4 SRAM |
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