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CY7C09179V-7AC

更新时间： 2024-01-23 10:57:03
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS /
页数 文件大小 规格书
18页 335K
描述
3.3V 32K/64K/128K x 8/9 Synchronous Dual-Port Static RAM

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CY7C09179V-7AC 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：QFP
包装说明：LFQFP,针数：100
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.2.B
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.79
最长访问时间：18 ns其他特性：FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码：S-PQFP-G100长度：14 mm
内存密度：294912 bit内存集成电路类型：DUAL-PORT SRAM
内存宽度：9功能数量：1
端子数量：100字数：32768 words
字数代码：32000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：32KX9封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LFQFP封装形状：SQUARE
封装形式：FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH并行/串行：PARALLEL
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：QUAD宽度：14 mm
Base Number Matches：1

CY7C09179V-7AC 数据手册

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CY7C09079V/89V/99V  
CY7C09179V/89V/99V  
Switching Waveforms (continued)  
Pipelined Read-to-Write-to-Read (OE = VIL)[19, 26, 27, 28]  
t
CYC2  
t
t
CL2  
CH2  
CLK  
CE  
0
1
t
t
HC  
SC  
CE  
t
t
HW  
SW  
R/W  
t
t
HW  
SW  
A
A
A
A
A
A
n+4  
n
n+1  
n+2  
n+2  
n+3  
ADDRESS  
t
t
SD HD  
t
t
HA  
SA  
DATA  
D
n+2  
IN  
t
t
t
t
CD2  
CD2  
CKHZ  
CKLZ  
Q
Q
n+3  
n
DATA  
OUT  
READ  
NO OPERATION  
WRITE  
READ  
Pipelined Read-to-Write-to-Read (OE Controlled)[19, 26, 27, 28]  
t
CYC2  
t
t
CL2  
CH2  
CLK  
CE  
0
1
t
t
HC  
SC  
CE  
t
t
HW  
SW  
R/W  
t
t
HW  
SW  
A
A
A
A
A
A
n+5  
n
n+1  
n+2  
n+3  
n+4  
ADDRESS  
t
t
HA  
t
t
SA  
SD HD  
D
DATA  
D
n+2  
IN  
n+3  
t
t
t
CD2  
CD2  
CKLZ  
DATA  
Q
Q
n+4  
OUT  
n
t
OHZ  
OE  
READ  
WRITE  
READ  
Notes:  
26. Output state (HIGH, LOW, or high-impedance) is determined by the previous cycle control signals.  
27. CE0 and ADS = VIL; CE1, CNTEN, and CNTRST = VIH  
.
28. During “No Operation”, data in memory at the selected address may be corrupted and should be re-written to ensure data integrity.  
Document #: 38-06043 Rev. *A  
Page 10 of 18  
1...78910111213...18

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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