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CY62158DV30L-55ZSXI

更新时间： 2024-11-18 04:53:27

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赛普拉斯 - CYPRESS		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
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描述
8-Mbit (1024K x 8) MoBL Static RAM

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CY62158DV30L-55ZSXI 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	LEAD FREE, TSOP2-44
针数：	44	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.5	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	55 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G44	JESD-609代码：	e4
长度：	18.415 mm	内存密度：	8388608 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	44	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	1MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP44,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	2.5/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.194 mm
最大待机电流：	0.00001 A	最小待机电流：	1.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.2 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

CY62158DV30L-55ZSXI 数据手册

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CY62158DV30

MoBL^

8-Mbit (1024K x 8) MoBL^Static RAM

This is ideal for providing More Battery Life™ (MoBL^) in

portable applications such as cellular telephones. The device

also has an automatic power-down feature that significantly

reduces power consumption. The device can be put into

standby mode reducing power consumption by 85% when

deselected (CE₁HIGH or CE₂LOW).

Features

• Very high speed: 45 ns, 55 ns and 70 ns

— Wide voltage range: 2.20V – 3.60V

• Ultra-low active power

— Typical active current:1.5 mA @ f = 1 MHz

— Typical active current: 12 mA @ f = f_max

• Ultra-low standby power

Writing to the device is accomplished by taking Chip Enable 1

(CE₁) and Write Enable (WE) inputs LOW and Chip Enable 2

(CE₂) HIGH. Data on the eight I/O pins (I/O₀through I/O₇) is

then written into the location specified on the address pins (A₀

• Easy memory expansion with CE₁, CE₂, and OE

through A₁₉).

features

Reading from the device is accomplished by taking Chip

Enable 1 (CE₁) and Output Enable (OE) LOW and Chip

Enable 2 (CE₂) HIGH while forcing Write Enable (WE) HIGH.

Under these conditions, the contents of the memory location

specified by the address pins will appear on the I/O pins.

The eight input/output pins (I/O₀through I/O₇) are placed in a

high-impedance state when the device is deselected (CE₁

LOW and CE₂HIGH), the outputs are disabled (OE HIGH), or

during a write operation (CE₁LOW and CE₂HIGH and WE

LOW). See the truth table for a complete description of read

and write modes.

• Automatic power-down when deselected

• CMOS for optimum speed/power

• Packages offered in a 48-ball BGA, 48-pin TSOPI, and

44-pin TSOPII

Functional Description^[1]

The CY62158DV30 is a high-performance CMOS static RAMs

organized as 1024K words by 8 bits. This device features

advanced circuit design to provide ultra-low active current.

Logic Block Diagram

I/O

Data in Drivers

A₀

A₁

A₂

A₃

A₄

A⁵

A⁶

1024K x 8

A⁷

ARRAY

A₉⁸

A₁₀

A₁₁

A₁₂

POWER

DOWN

COLUMN

DECODER

I/O

Note:

1. For best practice recommendations, please refer to the Cypress application note entitled System Design Guidelines, available at http://www.cypress.com.

Cypress Semiconductor Corporation

•

3901 North First Street

•

San Jose, CA 95134

•

408-943-2600

Document #: 38-05391 Rev. *D

Revised June 17, 2004

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