是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, VFBGA-48 |
针数: | 48 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.87 | 最长访问时间: | 70 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PBGA-B48 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 8 mm |
内存密度: | 8388608 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 48 |
字数: | 1048576 words | 字数代码: | 1000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 1MX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | VFBGA | 封装等效代码: | BGA48,6X8,30 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 240 |
电源: | 2.5/3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1 mm | 最大待机电流: | 0.00001 A |
最小待机电流: | 1.5 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.02 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.2 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.75 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 6 mm |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CY62158DV30L-70BVIT | CYPRESS |
获取价格 |
Standard SRAM, 1MX8, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, VFBGA-48 | |
CY62158DV30L-70ZSXI | CYPRESS |
获取价格 |
8-Mbit (1024K x 8) MoBL Static RAM | |
CY62158DV30L-70ZXI | CYPRESS |
获取价格 |
8-Mbit (1024K x 8) MoBL Static RAM | |
CY62158DV30LL | CYPRESS |
获取价格 |
8-Mbit (1024K x 8) MoBL Static RAM | |
CY62158DV30LL-45BVI | CYPRESS |
获取价格 |
8-Mbit (1024K x 8) MoBL Static RAM | |
CY62158DV30LL-45ZSXI | CYPRESS |
获取价格 |
8-Mbit (1024K x 8) MoBL Static RAM | |
CY62158DV30LL-45ZXI | CYPRESS |
获取价格 |
8-Mbit (1024K x 8) MoBL Static RAM | |
CY62158DV30LL-55BVI | CYPRESS |
获取价格 |
8-Mbit (1024K x 8) MoBL Static RAM | |
CY62158DV30LL-55BVI | ROCHESTER |
获取价格 |
1MX8 STANDARD SRAM, 55ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, VFBGA-48 | |
CY62158DV30LL-55BVIT | ROCHESTER |
获取价格 |
1MX8 STANDARD SRAM, 55ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, VFBGA-48 |