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CY62148DV30L-70SXI

更新时间: 2024-01-07 22:37:40
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 865K
描述
512KX8 STANDARD SRAM, 70ns, PDSO32, 0.450 INCH, LEAD FREE, SOIC-32

CY62148DV30L-70SXI 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:SOIC
包装说明:0.450 INCH, LEAD FREE, SOIC-32针数:32
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.65
最长访问时间:70 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G32
JESD-609代码:e4长度:20.4465 mm
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8湿度敏感等级:3
功能数量:1端子数量:32
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:512KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:COMMERCIAL座面最大高度:2.997 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):2.2 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:NICKEL PALLADIUM GOLD端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:20宽度:11.303 mm
Base Number Matches:1

CY62148DV30L-70SXI 数据手册

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