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CY62148DV30LL-70BVXI

更新时间: 2024-11-20 20:02:23
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 865K
描述
512KX8 STANDARD SRAM, 70ns, PBGA36, 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE, VFBGA-36

CY62148DV30LL-70BVXI 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:BGA
包装说明:6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, LEAD FREE, VFBGA-36针数:36
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.41
Is Samacsys:N最长访问时间:70 ns
JESD-30 代码:R-PBGA-B36JESD-609代码:e1
长度:8 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
湿度敏感等级:NOT SPECIFIED功能数量:1
端子数量:36字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:512KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:VFBGA封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:COMMERCIAL
座面最大高度:1 mm最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.2 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:TIN SILVER COPPER
端子形式:BALL端子节距:0.75 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:20
宽度:6 mmBase Number Matches:1

CY62148DV30LL-70BVXI 数据手册

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