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CY15B102N-ZS60XA PDF预览

CY15B102N-ZS60XA

更新时间： 2024-02-21 02:39:47
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
22页 372K
描述
Memory Circuit, 128KX16, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-44

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CY15B102N-ZS60XA 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：TSOP2-44Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.34JESD-30 代码：R-PDSO-G44
长度：18.415 mm内存密度：2097152 bit
内存集成电路类型：MEMORY CIRCUIT内存宽度：16
功能数量：1端子数量：44
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：128KX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED座面最大高度：1.194 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

CY15B102N-ZS60XA 数据手册

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CY15B102N  
2-Mbit (128K × 16) Automotive F-RAM  
Memory  
2-Mbit (128K  
× 16) Automotive F-RAM Memory  
■ Automotive-A temperature: –40 C to +85 C  
■ 44-pin thin small outline package (TSOP) Type II  
Features  
■ 2-Mbit ferroelectric random access memory (F-RAM™)  
logically organized as 128K × 16  
■ Restriction of hazardous substances (RoHS)-compliant  
❐ Configurable as 256K × 8 using UB and LB  
❐ High-endurance 100 trillion (1014) read/writes  
Functional Description  
❐ 151-year data retention (see the Data Retention and  
Endurance table)  
❐ NoDelay™ writes  
❐ Page-mode operation for 30-ns cycle time  
❐ Advanced high-reliability ferroelectric process  
The CY15B102N is a 128K × 16 nonvolatile memory that reads  
and writes similar to a standard SRAM. A ferroelectric random  
access memory or F-RAM is nonvolatile, which means that data  
is retained after power is removed. It provides data retention for  
over 151 years while eliminating the reliability concerns,  
functional disadvantages, and system design complexities of  
battery-backed SRAM (BBSRAM). Fast write-timing and high  
write-endurance make the F-RAM superior to other types of  
memory.  
■ SRAM compatible  
❐ Industry-standard 128K × 16 SRAM pinout  
❐ 60-ns access time, 90-ns cycle time  
■ Advanced features  
❐ Software-programmable block write-protect  
The CY15B102N operation is similar to that of other RAM  
devices, and, therefore, it can be used as a drop-in replacement  
for a standard SRAM in a system. Read cycles may be triggered  
by CE or simply by changing the address and write cycles may  
be triggered by CE or WE. The F-RAM memory is nonvolatile  
due to its unique ferroelectric memory process. These features  
make the CY15B102N ideal for nonvolatile memory applications  
requiring frequent or rapid writes.  
■ Superior to battery-backed SRAM modules  
❐ No battery concerns  
❐ Monolithic reliability  
❐ True surface-mount solution, no rework steps  
❐ Superior for moisture, shock, and vibration  
■ Low power consumption  
❐ Active current 7 mA (typ)  
❐ Standby current 120 A (typ)  
The device is available in  
surface-mount package. Device specifications are guaranteed  
over the Automotive-A temperature range –40 °C to +85 °C.  
a 400-mil, 44-pin TSOP-II  
For a complete list of related resources, click here.  
■ Low-voltage operation: VDD = 2.0 V to 3.6 V  
Logic Block Diagram  
16 K x 16 block  
16 K x 16 block  
16 K x 16 block  
16 K x 16 block  
16 K x 16 block  
16 K x 16 block  
16 K x 16 block  
16 K x 16 block  
A
16-2  
A
16-0  
A
1-0  
. . .  
CE  
Column Decoder  
WE  
DQ  
15-0  
Control  
UB, LB  
I/O Latch & Bus Driver  
Logic  
OE  
ZZ  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document Number: 001-93140 Rev. *D  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised November 23, 2017  
 
1234567...22

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与CY15B102N-ZS60XA相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CY15B102N-ZS60XAT CYPRESS

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 		2-Mbit (128K × 16) Automotive F-RAM Memory
CY15B102N-ZS60XAT INFINEON

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 		铁电存储器 (F-RAM)
CY15B102N-ZS60XE INFINEON

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 		铁电存储器 (F-RAM)
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 		铁电存储器 (F-RAM)
CY15B102Q CYPRESS

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 		2-Mbit (256 K × 8) Serial (SPI) Automotive F
CY15B102QM-50SWXI INFINEON

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 		2Mb 3.3V Industrial 50MHz SPI EXCELON? F-RAM in 8-lead DFN
CY15B102QN-50LHXIT INFINEON

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 		2Mb 3.3V Industrial 50MHz SPI EXCELON? F-RAM in 8-lead DFN
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