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CY14V101Q3-SFXI

更新时间： 2023-09-03 20:30:22

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英飞凌 - INFINEON		静态存储器光电二极管内存集成电路
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24页	1075K
描述
nvSRAM (non-volatile SRAM)

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CY14V101Q3-SFXI 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SOP, SOP16,.4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	2.32
JESD-30 代码：	R-PDSO-G16	JESD-609代码：	e3
长度：	10.2865 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	NON-VOLATILE SRAM	内存宽度：	8
混合内存类型：	N/A	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	16
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	128KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	SOP16,.4	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.8,3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	2.667 mm
最大待机电流：	0.005 A	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.01 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	MATTE TIN (800)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	7.4925 mm	Base Number Matches：	1

CY14V101Q3-SFXI 数据手册

CY14V101Q3

1 Mbit (128 K × 8) Serial SPI nvSRAM

■ Low power consumption

❐ Core V_CC= 3.0 V to 3.6 V; I/O V_CCQ= 1.65 V to 1.95 V

❐ Average active current of 10 mA at 30 MHz operation

Features

■ 1-Mbit nonvolatile static random access memory (nvSRAM)

❐ Internally organized as 128 K × 8

■ Industry standard configurations

❐ Industrial temperature

❐ 16-pin small outline integrated circuit (SOIC) package

❐ Restriction of hazardous substances (RoHS) compliant

❐ STORE to QuantumTrap nonvolatile elements initiated

automatically on power-down (AutoStore) or by user using

HSB pin (Hardware STORE) or SPI instruction (Software

STORE)

❐ RECALL to SRAM initiated on power-up

(Power-Up RECALL) or by SPI instruction

(Software RECALL)

Functional Overview

The Cypress CY14V101Q3 combines a 1 Mbit nvSRAM with a

nonvolatile element in each memory cell with serial SPI interface.

The memory is organized as 128 K words of 8 bits each. The

embedded nonvolatile elements incorporate the QuantumTrap

technology, creating the world’s most reliable nonvolatile

memory. The SRAM provides infinite read and write cycles, while

the QuantumTrap cell provides highly reliable nonvolatile

storage of data. Data transfers from SRAM to the nonvolatile

elements (STORE operation) takes place automatically at

power-down. On power-up, data is restored to the SRAM from

the nonvolatile memory (RECALL operation). Both STORE and

RECALL operations can also be initiated by the user through SPI

instruction.

❐ Automatic STORE on power-down with a small capacitor

■ High reliability

❐ Infinite read, write, and RECALL cycles

❐ 1 million STORE cycles to QuantumTrap

❐ Data retention: 20 years

■ High speed serial peripheral interface (SPI)

❐ 30 MHz clock rate

❐ Supports SPI mode 0 (0,0) and mode 3 (1,1)

■ Write protection

❐ Hardware protection using Write Protect (WP) pin

❐ Software protection using Write Disable instruction

❐ Software block protection for 1/4,1/2, or entire array

For a complete list of related documentation, click here.

V_CCV_CCQ

V_CAP

Logic Block Diagram

Quantum Trap

128 K X 8

Power Control

SCK

Instruction decode

Write protect

Control logic

STORE/RECALL

Control

STORE

HSB

SRAM ARRAY

HOLD

RECALL

128 K X 8

Instruction

D0-D7

A0-A16

Address

Decoder

Data I/O register

Status register

Cypress Semiconductor Corporation

Document #: 001-67191 Rev. *E

•

198 Champion Court

•

San Jose, CA 95134-1709

•

408-943-2600

Revised November 13, 2014

12 3 4 5 6 7...24

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CY14V101Q3-SFXIT	INFINEON	获取价格	nvSRAM (non-volatile SRAM)
CY14V101QS-BK108XI	INFINEON	获取价格	nvSRAM (non-volatile SRAM)
CY14V101QS-BK108XITR	CYPRESS	获取价格	Non-Volatile SRAM, 128KX8, CMOS, PBGA24, LEAD FREE, FBGA-24
CY14V101QS-BK108XQ	CYPRESS	获取价格	Non-Volatile SRAM, 128KX8, CMOS, PBGA24, FBGA-24
CY14V101QS-BK108XQ	INFINEON	获取价格	nvSRAM (non-volatile SRAM)
CY14V101QS-BK108XQTR	CYPRESS	获取价格	Non-Volatile SRAM, 128KX8, CMOS, PBGA24, LEAD FREE, FBGA-24
CY14V101QS-SE108XI	CYPRESS	获取价格	Non-Volatile SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, SOIC-16
CY14V101QS-SE108XI	INFINEON	获取价格	nvSRAM (non-volatile SRAM)
CY14V101QS-SE108XIT	CYPRESS	获取价格	Non-Volatile SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, SOIC-16
CY14V101QS-SE108XQ	CYPRESS	获取价格	Non-Volatile SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, SOIC-16

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