Datasheet > CY14V101QS-SF108XQT

CY14V101QS-SF108XQT

更新时间： 2024-11-05 21:07:43

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
55页	1260K
描述
Non-Volatile SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, SOIC-16

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CY14V101QS-SF108XQT 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SOP,
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.74	JESD-30 代码：	R-PDSO-G16
长度：	10.2865 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	NON-VOLATILE SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	16
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	105 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	128KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	SERIAL	座面最大高度：	2.667 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	7.4925 mm
Base Number Matches：	1

CY14V101QS-SF108XQT 数据手册

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CY14V101QS

1-Mbit (128K × 8) Quad SPI nvSRAM

■ Temperature range

❐ Extended Industrial: –40 °C to 105 °C

❐ Industrial: –40 °C to 85 °C

Features

■ Density

❐ 1-Mbit (128K × 8)

■ Packages

■ Bandwidth

❐ 108-MHz high-speed interface

❐ Read and write at 54 MBps

❐ 16-pin SOIC

❐ 24-ball FBGA

■ Serial Peripheral Interface

❐ Clock polarity and phase modes 0 and 3

❐ Multi I/O option – Single SPI (SPI), Dual SPI (DPI), and Quad

SPI (QPI)

Functional Overview

The Cypress CY14V101QS combines a 1-Mbit nvSRAM with a

QPI interface. The QPI allows writing and reading the memory in

either a single (one I/O channel for one bit per clock cycle), dual

(two I/O channels for two bits per clock cycle), or quad (four I/O

channels for four bits per clock cycle) through the use of selected

opcodes.

■ High reliability

❐ Infinite read, write, and RECALL cycles

❐ One million STORE cycles to nonvolatile elements (SONOS

FLASH Quantum trap)

The memory is organized as 128Kbytes each consisting of

SRAM and nonvolatile SONOS Quantum Trap cells. The SRAM

provides infinite read and write cycles, while the nonvolatile cells

provide highly reliable storage of data. Data transfers from

SRAM to the nonvolatile cells (STORE operation) take place

automatically at power-down. On power-up, data is restored to

the SRAM from the nonvolatile cells (RECALL operation). You

can also initiate the STORE and RECALL operations through

SPI instructions.

❐ Data retention: 20 years at 85 °C

■ Read

❐ Commands: Standard, Fast, Dual I/O, and Quad I/O

❐ Modes: Burst Wrap, Continuous (XIP)

■ Write

❐ Commands: Standard, Fast, Dual I/O, and Quad I/O

❐ Modes: Burst Wrap

■ Data protection

❐ Hardware: Through Write Protect Pin (WP)

❐ Software: Through Write Disable instruction

❐ Block Protection: Status Register bits to control protection

■ Special instructions

❐ STORE/RECALL: Access data between SRAM and

Quantum Trap

❐ Serial Number: 8-byte customer selectable (OTP)

❐ Identification Number: 4-byte Manufacturer ID and Product

■ Store from SRAM to nonvolatile SONOS FLASHQuantum Trap

❐ AutoStore: Initiated automatically at power-down with a small

capacitor (V_CAP

)

❐ Software: Using SPI instruction (STORE)

❐ Hardware: HSB pin

■ Recall from nonvolatile SONOS FLASH Quantum Trap to

SRAM

❐ Auto RECALL: Initiated automatically at power-up

❐ Software: Using SPI instruction (RECALL)

■ Low-power modes

❐ Sleep: Average current = 280 µA at 85 °C

❐ Hibernate: Average current = 8 µA at 85 °C

■ Operating supply voltages

❐ Core V_CC: 2.7 V to 3.6 V

❐ I/O V_CCQ: 1.71 V to 2.0 V

Cypress Semiconductor Corporation

Document Number: 001-85257 Rev. *K

•

198 Champion Court

•

San Jose, CA 95134-1709

•

408-943-2600

Revised April 6, 2016

12 3 4 5 6 7...55

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CY14V101QS-SF108XQTR	CYPRESS	获取价格	Non-Volatile SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0.413 X 0.299 INCH, 0.0932 INCH HEIGHT, LEAD FREE
CY14V104LA	CYPRESS	获取价格	4-Mbit (512 K x 8 / 256 K x 16) nvSRAM 25 ns and 45 ns access times
CY14V104LA-BA25XI	CYPRESS	获取价格	4-Mbit (512 K x 8 / 256 K x 16) nvSRAM 25 ns and 45 ns access times
CY14V104LA-BA25XI	INFINEON	获取价格	nvSRAM (non-volatile SRAM)
CY14V104LA-BA25XIT	CYPRESS	获取价格	4-Mbit (512 K x 8 / 256 K x 16) nvSRAM 25 ns and 45 ns access times
CY14V104LA-BA25XIT	INFINEON	获取价格	nvSRAM (non-volatile SRAM)
CY14V104LA-BA45XI	CYPRESS	获取价格	4-Mbit (512 K x 8 / 256 K x 16) nvSRAM 25 ns and 45 ns access times
CY14V104LA-BA45XI	INFINEON	获取价格	nvSRAM (non-volatile SRAM)
CY14V104LA-BA45XIT	CYPRESS	获取价格	4-Mbit (512 K x 8 / 256 K x 16) nvSRAM 25 ns and 45 ns access times
CY14V104LA-BA45XIT	INFINEON	获取价格	nvSRAM (non-volatile SRAM)

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