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CY14V101QS-SE108XQT PDF预览

CY14V101QS-SE108XQT

更新时间： 2024-11-05 21:07:43
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
55页 1260K
描述
Non-Volatile SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, SOIC-16

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CY14V101QS-SE108XQT 技术参数

生命周期：Active包装说明：SOP,
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.74JESD-30 代码：R-PDSO-G16
长度：10.2865 mm内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：NON-VOLATILE SRAM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：16
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：105 °C
最低工作温度：-40 °C组织：128KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：SERIAL座面最大高度：2.667 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL宽度：7.4925 mm
Base Number Matches：1

CY14V101QS-SE108XQT 数据手册

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CY14V101QS  
1-Mbit (128K × 8) Quad SPI nvSRAM  
■ Temperature range  
❐ Extended Industrial: –40 °C to 105 °C  
❐ Industrial: –40 °C to 85 °C  
Features  
■ Density  
❐ 1-Mbit (128K × 8)  
■ Packages  
■ Bandwidth  
❐ 108-MHz high-speed interface  
❐ Read and write at 54 MBps  
❐ 16-pin SOIC  
❐ 24-ball FBGA  
■ Serial Peripheral Interface  
❐ Clock polarity and phase modes 0 and 3  
❐ Multi I/O option – Single SPI (SPI), Dual SPI (DPI), and Quad  
SPI (QPI)  
Functional Overview  
The Cypress CY14V101QS combines a 1-Mbit nvSRAM with a  
QPI interface. The QPI allows writing and reading the memory in  
either a single (one I/O channel for one bit per clock cycle), dual  
(two I/O channels for two bits per clock cycle), or quad (four I/O  
channels for four bits per clock cycle) through the use of selected  
opcodes.  
■ High reliability  
❐ Infinite read, write, and RECALL cycles  
❐ One million STORE cycles to nonvolatile elements (SONOS  
FLASH Quantum trap)  
The memory is organized as 128Kbytes each consisting of  
SRAM and nonvolatile SONOS Quantum Trap cells. The SRAM  
provides infinite read and write cycles, while the nonvolatile cells  
provide highly reliable storage of data. Data transfers from  
SRAM to the nonvolatile cells (STORE operation) take place  
automatically at power-down. On power-up, data is restored to  
the SRAM from the nonvolatile cells (RECALL operation). You  
can also initiate the STORE and RECALL operations through  
SPI instructions.  
❐ Data retention: 20 years at 85 °C  
■ Read  
❐ Commands: Standard, Fast, Dual I/O, and Quad I/O  
❐ Modes: Burst Wrap, Continuous (XIP)  
■ Write  
❐ Commands: Standard, Fast, Dual I/O, and Quad I/O  
❐ Modes: Burst Wrap  
■ Data protection  
❐ Hardware: Through Write Protect Pin (WP)  
❐ Software: Through Write Disable instruction  
❐ Block Protection: Status Register bits to control protection  
■ Special instructions  
❐ STORE/RECALL: Access data between SRAM and  
Quantum Trap  
❐ Serial Number: 8-byte customer selectable (OTP)  
❐ Identification Number: 4-byte Manufacturer ID and Product  
ID  
■ Store from SRAM to nonvolatile SONOS FLASHQuantum Trap  
❐ AutoStore: Initiated automatically at power-down with a small  
capacitor (VCAP  
)
❐ Software: Using SPI instruction (STORE)  
❐ Hardware: HSB pin  
■ Recall from nonvolatile SONOS FLASH Quantum Trap to  
SRAM  
❐ Auto RECALL: Initiated automatically at power-up  
❐ Software: Using SPI instruction (RECALL)  
■ Low-power modes  
❐ Sleep: Average current = 280 µA at 85 °C  
❐ Hibernate: Average current = 8 µA at 85 °C  
■ Operating supply voltages  
❐ Core VCC: 2.7 V to 3.6 V  
❐ I/O VCCQ: 1.71 V to 2.0 V  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document Number: 001-85257 Rev. *K  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised April 6, 2016  
1234567...55

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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